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US1JT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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US1JT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

US1JT/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

US1JT/R7文档预览

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US1A SERIES
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.181(4.60)
0.157(4.00)
0
.
012(0
.
305)
0
.
006(0.152)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
0.208(5.28)
0.188(4.80)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity : Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
0.060(1.52)
0.030(0.76)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rse Vo lta g e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c ki ng Vo lta g e
Maxi mum A ve rag e F orwa rd C urrent a t T
L
=1 0 0
O
C
P ea k F o rward S urge C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf si ne-wa ve
supe ri mp os ed o n ra ted lo a d (JE D E C method )
Maxi mum F orwa rd Voltag e at 1 .0A
T
J
=25
O
C
T
J
=12 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θJL
T
RR
T
J
,T
S TG
US 1 A
50
35
50
US 1B
1 00
70
1 00
0.062(1.60)
0.047(1.20)
US 1 D
20 0
1 40
20 0
US 1G
4 00
280
4 00
1.0
30
US 1 J
600
4 20
600
US 1K
80 0
56 0
80 0
US 1M
1 00 0
70 0
1 00 0
UNITS
V
V
V
A
A
1 .0
1.3
1.0
10 0
17
30
50
-5 5 to +15 0
1.7
V
μ
A
Maxi mum D C Reve rs e C urre nt a t Rate d D C B lo ck i ng Vo ltag e
Typi cal Junc ti on C a pa ci ta nc e (Note 2 )
Typi cal The rmal Re si s tance (No te 3)
Ma xi mum Re ve rs e Re co ve ry Ti me (No te 1 )
Ope ra ti ng J uncti o n and S tora ge Temp era ture Ra ng e
pF
O
C / W
ns
O
1 00
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
January 02,2012-REV.04
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