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1N4448WS_R1_00001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小96KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4448WS_R1_00001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2

1N4448WS_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.72 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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1N4148WS SERIES
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching speed.
• Surface mount package Ideally Suited for Automatic insertion
• Electrically Identical to Standard JEDEC
• High Conductance
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives.
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.006(0.15)
0.002(0.05)
0.107(2.7)
0.090(2.3)
0.054(1.35)
0.045(1.15)
0.014(0.35)
0.009(0.25)
0.036(0.90)
0.027(0.70)
0.078(1.95)
0.068(1.75)
100 Volts
POWER
250mWatts
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.00014 ounces, 0.0041 grams
• Polarity : Color band cathode
0.012(0.30)MIN.
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
O
C ambient temperature unless otherwise specified. For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
Ma rk i ng C o d e
Re ve rs e Vo lta g e
P e a k Re ve rs e Vo lta g e
RMS Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o rwa r d C ur re nt a t T
A
= 2 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C ur re nt, 0 .0 0 1 ms
P o we r D i s s i p a ti o n D e ra te A b o ve 2 5
O
C
S YM B OL
-
V
R
V
RM
V
RM S
I
F (AV )
I
F S M
P
D
1 N4 1 4 8 W S
A2
1 N4 4 4 8 W S
A3
75
100
50
200
4
250
B AV 1 6 W S
A6
UNITS
-
V
V
V
mA
A
mW
Ma xi m um F o rwa rd Vo lta g e
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
J unc ti o n C a p a c i ta nc e (No te s 1 )
Ma xi m um Re ve r s e Re c o ve r y Ti m e (No te s 2 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te m p e ra ture
Ra ng e
V
F
0 .7 1 5 @ 0 .0 0 1 A
0 .8 5 5 @ 0 .0 1 A
1 @ 0 .0 5 A
1 .2 5 @ 0 .1 5 A
0 .0 2 5 @ 2 0 V
2 .5 @ 7 5 V
1 .5
4
0 .7 2 @ 0 .0 0 5 A
1 @ 0 .1 A
2 .5 @ 7 5 V
4
4
500
- 5 5 to + 1 5 0
0 .8 5 5 @ 0 .0 1 A
V
I
R
C
J
t
rr
R
J
A
T
J
,T
S TG
1 @ 75V
2
6
O
A
pF
ns
C / W
O
C
Notes :
1. C
J
at V
R
=0, f=1MHz
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100
August 22,2013-REV.05
PAGE . 1
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