Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6KE7.5CA_AY_00001

文档预览

P6KE7.5CA_AY_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小238KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6KE7.5CA_AY_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

P6KE7.5CA_AY_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECONGNIZED
最大击穿电压	7.88 V
最小击穿电压	7.13 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	6.4 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P6KE7.5CA_AY_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

6.8 to 550 Volts

Recongnized File # E210467

1.0(25.4)MIN.

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• 600W surge capability at 1ms

• Excellent clamping capability

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Low zener impedance

0.034(0.86)

0.028(0.71)

0.300(7.6)

0.230(5.8)

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-15 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denotes cathode end

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram

1.0(25.4)MIN.

0.140(3.6)

0.104(2.6)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Power Dissipation on T

=25

C, T

=1ms (Notes 1)

Typical Thermal Resistance (Notes 2)

Peak Pulse Current on 10/1000μs waveform (Notes 1)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) (Notes 3)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

θJ

θJC

PPM

F S M

S TG

Value

600

see Table

100

-65 to +175

Units

Watts

C/W

Amps

2. Mounted on 48cm

FR-4 PCB.

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

NOTES :

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig. 2.

4. A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

RWM

), which should be equal to or greater than the DC

or continuous peak operating voltage level.

November 15,2012-REV.07

PAGE . 1

推荐资源

基于摄像头的前车碰撞预警: 请问有做基于摄像头的前车碰撞预警的吗？ ...; 梦想与现实汽车电子

关于silicon labs 的BGM220PC22HNA2蓝牙模块: 现使用BGM220PC22HNA2蓝牙模块，内核是基于 EFR32BG22 现遇到的问题是：bgm220蓝牙模块接出电源和地，3.3v供电。但是在BLE调试宝上并不能搜索到此模块。是因为什么原因。也没有找到相关 ......; 柯小西无线连接

请问称重传感器的信号如何获取？及--体重秤单片机如何编程？: 大家好！最近《测试技术》的老师给我们布置小项目，我的小组分到“健康秤”这个项目，其要求是：1.能测出人体体重（0-100KG）并数字显示；2.测出身高并数字显示；3.将体重与身高的比值作 ......; linhuanhuan 嵌入式系统

ADS1118的AD转换问题。: 数据始终为0，大神帮忙解答一下。。313598313602 头文件应该是没问题的 file:///D:\QQPCMgr(1)\Documents\Tencent Files\951141617\Image\C2C\(SGB3@_N(T}KU ......; HI唐辉电源技术

磁珠、电感、电阻的使用: 磁珠、电感和零欧电阻具体在什么情况下使用哪一个，怎么能快速的理解呢？零欧电阻我只知道在PCB中可以当作跳线使用。其他两个怎么通俗的理解？ ...; 自由达人模拟电子

书来了，杨建国《新概念模拟电路》系列第二本: 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2018-12-20 19:49 编辑《新概念模拟电路》第二本终终终终于上线啦！ "运算放大器和负反馈，会使我们设计一个放大电路变得更加容易，并获得更加出色的放大电路指 ......; qwqwqw2088 模拟与混合信号

消息称三星正为 2nm 尖端制程导入 Hyper Cell 技术

8月22日消息，韩媒Nate当地时间20日报道称，三星电子正在向其当下最先进的2nm级制程工艺中导入HyperCell技术，力图以晶体管设计上的更大灵活性提升性能与能效表现，增强工艺在AI/HPC芯片代工市场的竞争力。单元(Cell)是半导体芯片设计中最基本的单位，而传统的标准单元具有相对固定的高度尺寸和排列方式（即所谓的6T库、7.5T库）。三星的...[详细]
英特尔获软银 20 亿美元投资

8月19日消息，英特尔公司与日本软银集团本周一宣布，软银将向英特尔投资20亿美元（现汇率约合143.76亿元人民币）。根据协议，软银将以每股23美元的价格购买英特尔的普通股。受此消息影响，英特尔股票在盘后交易中上涨了4%。此次投资被视为对英特尔的一次重要信任投票。近年来，英特尔在先进半导体领域未能充分抓住人工智能（AI）热潮带来的机遇，导致其股价表现不佳。在2024年，...[详细]
消息称高通、联发科加速布局台积电N2P工艺，欲弯道超车苹果

据《工商时报》昨天（11月3日）报道，继苹果预定成为首批台积电N2工艺客户后，高通与联发科加快脚步，同步应用加强版N2P工艺，有望带动台积电A16制程提前量产。供应链消息指出，台积电的A16制程最快将于明年3月展开试产，表明台积电进入“摩尔定律2.0”阶段，其中苹果将A20系列芯片中引入WMCM（IT之家注：多栅极晶体管）先进封装技术，明年第二季度开启小规模量产；而...[详细]
SK 海力士 2025 三季度营业利润达 11.38 万亿韩元同比增长 62%，创历史新高

10月29日消息，SK海力士今日发布截至2025年9月30日的2025财年第三季度财务报告。公司2025财年第三季度营业收入为24.4489万亿韩元（IT之家注：现汇率约合1209.49亿元人民币），同比增长39%，营业利润为11.3834万亿韩元（现汇率约合563.14亿元人民币），同比增长62%，净利润为12.5975万亿韩元（现汇率约合...[详细]
英特尔发布2025年第三季度财报

第三季度营收137亿美元，同比增长3%。英特尔第三季度每股收益（EPS）为0.90美元；非通用会计准则（Non-GAAP）每股收益为0.23美元。预计2025年第四季度营收为128亿至138亿美元；每股收益（损失）为（0.14）美元，非通用会计准则每股收益预计为0.08美元。英特尔的前瞻性预测已不包括Altera，因对其多数股权的出售已于2025年第三季度完成。美国加利福尼亚州...[详细]
ASML发布2025年第三季度财报

ASML发布2025年第三季度财报|净销售额75亿欧元，净利润21亿欧元；预计2025年全年净销售额将增长约15%，毛利率约为52%荷兰菲尔德霍芬，2025年10月15日—阿斯麦（ASML）今日发布2025年第三季度财报。2025年第三季度，ASML实现净销售额75亿欧元，毛利率为51.6%，净利润达21亿欧元。第三季度的新增订单金额为54亿欧元2，其中36亿欧元为EUV光刻机订单。A...[详细]
美国封杀所有非美产无人机：大疆回应

美国联邦通信委员会（FCC）于当地时间12月22日宣布，基于白宫跨部门审查结果，正式将中国大疆（DJI）、Autel（道通智能）及所有外国制造的无人机和零组件，纳入“对美国国家安全构成不可接受风险”的列管名单。此举是华盛顿近年来加强对中国无人机管控的重要升级，也意味着未来外国无人机企业的新型号产品，将无法获得FCC批准，进而不得在美国境内进口或销售——而FCC许可乃是外国...[详细]
台积电罗镇球：AI 驱动行业爆发，技术布局与全球协同迎接未来

日前，在ICCAD-Expo2025上，台积电中国区总经理罗镇球结合台积电的业务，对近期半导体发展趋势进行了总结。其表示，AI正毫无疑问的重塑全球产业逻辑，智能无处不在的愿景已逐步落地。从家庭AIoT设备、AR/VR眼镜等消费终端，到智能驾驶、人形机器人等新兴领域，算力需求的爆发推动半导体行业进入“AI+”重构时代。数据中心算力的大幅增长，带AI功能的PC、智能手机，AR/...[详细]
意法半导体和SpaceX共庆星链全球互联关键技术合作十年历程

定制芯片十年创新历程催生了一个通过低轨卫星为家庭和企业提供宽带互联网的新兴产业星链产品是SpaceX与意法半导体法国和意大利公司合作设计，在法国、马耳他和马来西亚的工厂生产星链高性能相控阵天线采用意法半导体的BiCMOS芯片技术，为150多个国家地区的800多万用户提供高速互联网接入服务双方深入合作，聚焦加快推进现有设计项目和下一代卫星及用户终端的开发进度2025...[详细]
消息称英特尔14A制程已获两家客户好评，预计2027年量产节点进展顺利

12月3日消息，MoorInsights&Strategy分析师PatrickMoorhead昨日透露，英特尔正在开发的14A制程节点已获得两家潜在代工客户的正面反馈。作为IntelFoundry的关键产品，14A节点目前正与客户协同设计，使客户能够提前评估相关技术能否满足未来产品的性能和能效需求。PatrickMoorhead称，他与多位接触过该节点的英...[详细]
中国选手再夺全球桂冠——株洲中车时代电气杨艳荣获2025 IPC手工焊接全球总决赛冠军

【中国上海，2025年12月2日】—全球电子协会（GlobalElectronicsAssociation）举办的2025IPC手工焊接全球总决赛近日于德国慕尼黑电子生产设备展（productronica）期间圆满落幕。来自中国中车集团旗下株洲中车时代电气股份有限公司的杨艳，凭借稳定扎实的操作、严谨的工艺和卓越的产品质量，从全球12个国家、15名区域冠军中脱颖而出，以871分的高分...[详细]
报告称高昂 3nm 工艺成本拖累台积电美国业务，2025Q3 利润环比降幅 99%

11月18日消息，工商时报昨日（11月17日）发布博文，报道称台积电位于美国亚利桑那州的工厂正面临严峻的财务压力。数据显示，该工厂的利润呈断崖式下滑，2025年第2季度盈利42.32亿新台币（IT之家注：现汇率约合9.68亿元人民币），而在第3季度骤降至仅4100万新台币（现汇率约合938.1万元人民币），降幅达到99%。该媒体指出台积电赴美建厂，一方面...[详细]
西门子收购Canopus：引入“AI显微镜”技术，让造芯更准、更快

2月5日消息，西门子（Siemens）昨日（2月4日）发布公告，宣布收购法国初创公司CanopusAI，通过引入计算量测（ComputationalMetrology）和检测技术，强化其Calibre晶圆制造软件生态。据西门子透露，该笔交易实际上已于2026年1月12日完成交割。尽管官方未披露具体金额，但业界估算交易额约在1.5亿至3亿欧元（IT之家注...[详细]
打破 20 年技术僵局，西电团队攻克芯片散热世界难题

1月16日消息，据西安电子科技大学官方公众号1月13日报道，西安电子科技大学团队打破20年技术僵局，攻克芯片散热世界难题。长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获...[详细]
全3D打印技术+可降解功能，无需半导体材料的电子器件问世

美国麻省理工学院团队在电子制造领域取得一项重要进展：他们利用全3D打印技术，制作出了不需要半导体材料的有源电子设备器件。这一突破性研究发表在新一期《虚拟与物理原型》杂志上，为将来的电子制造开辟了新途径。横截面积变化的3D打印导电迹线在高电流作用下的行为示例。由多个串联几何图形组成的3D打印电路的光学图像（左），施加10mA（中）和50mA（右）电流时的电路热图像（a）。施加变化电流时，图3...[详细]

小广播

热搜元器件