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EMB12N03V

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小211KB,共5页
制造商杰力(EMC)
官网地址http://www.excelliancemos.com/
杰力公司成立于民国97年,为一专业功率组件及IC设计公司,产品主要应用于:计算机主板、笔记本电脑、LCD监视器及电视、LED照明、电源供应器及其他消费性电子产品等。杰力公司技术及经营团队拥有丰富的电源系统技术服务、功率半导体组件、制程及封装设计之学经历,且具备成功经验实务,是少数具备垂直整合能力之设计公司。具备整合自身及供货商之技术能力,配合客户之需求,除提供必要之高效率功率组件IC,更提供用户快速及完整之解决方案,符合在第一时间将创新及高效能产品推进市场之要求,与上下游成为重要之合作伙伴。主要业务系从事功率组件(Power Device)、电源管理集成电路(Power Management IC)及电源模块(Power Module)之研究、开发、设计、制造及销售。
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EMB12N03V概述

Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 30V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EDFN-8

EMB12N03V规格参数

参数名称属性值
厂商名称杰力(EMC)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)7.2 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)18.5 A
最大漏源导通电阻0.0115 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)74 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
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