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NT5CB512M4BN-AD

产品描述DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WBGA-78
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共127页
制造商南亚科技(Nanya)
官网地址http://www.nanya.com/cn
标准
南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标,强调以服务客户为导向,透过与夥伴们紧密的合作,强化产品的研发与制造,进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场,南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品,更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时,为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求,南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来,南亚科技积极经营利基型记忆体市场,专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上,更导入20奈米制程技术,致力於生产DDR4和LPDDR4产品,期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务,强化本业营运绩效,确保所有股东权益,创造企业永续经营之价值。
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NT5CB512M4BN-AD概述

DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA78, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, WBGA-78

NT5CB512M4BN-AD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称南亚科技(Nanya)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA78,9X13,32
针数78
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B78
长度10.5 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量78
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA78,9X13,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.012 A
最大压摆率0.285 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9 mm
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