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SF30BG

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
下载文档 详细参数 全文预览

SF30BG概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

SF30BG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-201AD
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SF30BG文档预览

LITE-ON
SEMICONDUCTOR
SF30BG thru SF30JG
REVERSE VOLTAGE
- 100
to
600
Volts
FORWARD CURRENT
- 3.0
Amperes
SUPER FAST
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Super fast switching time for high efficiency
Low forward voltage drop and high current capability
Low reverse leakage current
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
DO-201AD
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-201AD molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.04 ounces, 1.1 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
B
DO-201AD
Min.
Max.
25.4
7.30
-
9.50
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
SF30BG
SF30DG
200
140
200
SF30FG
300
210
300
SF30GG
400
280
400
3.0
SF30HG
500
350
500
SF30JG
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
100
70
100
@T
A
=
55 C
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
0JA
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
125
0.95
1.25
5
100
35
70
20
-55 to +150
-55 to +150
40
50
45
1.3
A
V
uA
ns
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDGF01
T
STG
NOTES : 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Ambient.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
SF30BG thru SF30JG
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT
AMPERES
3.0
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
200
150
2.0
100
1.0
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
50
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
0
25
0
1
2
5
10
20
50
100
50
75
100
125
150
175
AMBIENT TEMPERATURE, C
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
100
SF30BG~SF30GG
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
100
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ,(A)
SF30HG~SF30JG
SF30FG~SF30GG
CAPACITANCE , (pF)
10
SF30BG~SF30DG
10
SF30HG~SF30JG
1.0
T
J
= 25 C, f= 1MHz
1
1
4
10
100
T
J
= 25 C
PULSE WIDTH 300us
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
REV. 2, 01-Dec-2000, KDGF01
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