94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 3 |
最小击穿电压 | 55 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子涂层 | MATTE TIN OVER NICKEL |
端子位置 | SINGLE |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
通道类型 | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER |
最大漏电流 | 94 A |
额定雪崩能量 | 130 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0075 ohm |
最大漏电流脉冲 | 360 A |
AUIRF1010Z | AUIRF1010ZL | AUIRF1010ZS | |
---|---|---|---|
描述 | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA | 94 A, 55 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
端子数量 | 3 | 3 | 2 |
最小击穿电压 | 55 V | 55 V | 55 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | ROHS COMPLIANT, TO-262, 3 PIN | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
无铅 | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | 矩形的 |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子涂层 | MATTE TIN OVER NICKEL | MATTE TIN OVER NICKEL | MATTE 锡 OVER 镍 |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | 单一的 |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | 塑料/环氧树脂 |
结构 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | 开关 |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | 硅 |
通道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N沟道 |
场效应晶体管技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | GENERAL PURPOSE POWER | GENERAL PURPOSE POWER | 通用电源 |
最大漏电流 | 94 A | 94 A | 94 A |
额定雪崩能量 | 130 mJ | 130 mJ | 130 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.0075 ohm | 0.0075 ohm | 0.0075 ohm |
最大漏电流脉冲 | 360 A | 360 A | 360 A |
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