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DI206S_T0_10001

产品描述Bridge Rectifier Diode, 2A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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DI206S_T0_10001概述

Bridge Rectifier Diode, 2A, 600V V(RRM),

DI206S_T0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DI200S~DI2010S
DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic material used carries Underwriters
Laboratory recognition 94V-O
• Low leakage
0.255(6.5)
0.245(6.2)
0.310(7.9)
0.290(7.4)
0.335(8.51)
0.316(8.05)
0.009(0.25)
50~1000 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
0.060(1.524)
0.040(1.016)
0.011(0.28)
0.004(0.10)
• Surge overload rating-- 50 amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.406(10.3)
0.360(9.40)
MECHANICAL DATA
• Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
results in inexpensive product
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Polarity symbols molded or marking on body
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0115 ounce, 0.3268 gram
0.045(1.14)
0.035(0.89)
0.098(2.5)
0.086(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RMS B ri d g e Inp ut Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt T
A
=4 0
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt:8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
I
2
t Ra ti ng fo r fus i ng ( t<8 .3 5 ms )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e D ro p p e r B ri d g e E le me nt a t 2 .0 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre ntT
J
=2 5
O
C
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e T
J
=1 2 5
O
C
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nce (No te 1 )
Typ i c a l the rma l re s i s ta nce p e r le g ((No te 2 )
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
θJA
R
θJ
L
T
J
,T
s TG
D I2 0 0 S D I2 0 1 S D I2 0 2 S D I2 0 4 S D I2 0 6 S D I2 0 8 S D I2 0 1 0 S
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2 .0
50
1 0 .0
1 .1
5 .0
500
25
40
15
-5 5 to + 1 5 0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
A
2
S
V
μA
pF
O
C / W
O
Op e ra ti ng Juns ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
NOTES:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
C
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 X 0.5"(13 X 13mm) copper pads
November 3,2010-REV.01
PAGE . 1
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