Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6SMB62C_R1_00001

文档预览

P6SMB62C_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 50.2V V(RWM), Bidirectional,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小240KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

P6SMB62C_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 50.2V V(RWM), Bidirectional,

P6SMB62C_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	68.2 V
最小击穿电压	55.8 V
击穿电压标称值	62 V
最大钳位电压	89 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
参考标准	IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压	50.2 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

P6SMB62C_R1_00001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P6SMB SERIES

SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 600 Watts

BREAK DOWN VOL

TAGE

6.8 to 400 Volt

FEATURES

• For surface mounted applications in order to optimize board space.

• Glass passivated junction

• Low inductance

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Fammability Classification 94V-O

• High temperature soldering : 260°C /10 seconds at terminals

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directives

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

0.155(3.94)

0.130(3.30)

0.083(2.11)

0.075(1.91)

0.185(4.70)

0.160(4.06)

0.012(0.305)

0.006(0.152)

0.096(2.44)

0.083(2.13)

0.050(1.27)

0.030(0.76)

0.220(5.59)

0.200(5.08)

MECHANICAL DATA

•

Case:JEDEC DO-214AA ,Molded plastic over passivated junction

Terminals: Solder plated,solderable per MIL-STD-750,Method 2026

Polarity : Color band denotes cathode end

Standard Packaging:12mm tape (EIA-481)

Weight: 0.003 ounce, 0.093 gram

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Ele ctrical characteristics apply in both directions.

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.

For Capacitive load derate current by 20%.

Rating

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000s waveform (Notes 1,2, Fig.1)

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method) (Notes 2,3)

Peak Pulse Current on 10/1000s waveform (Notes 1) Fig.3

Typical Thermal Resistance Junction to Air (Notes 2)

Operating Junction and Storage Temperature Range

Symbol

FSM

PPM

JA

STG

Value

600

100

see Table 1

-55 to +150

Units

Watts

Amps

C/W

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25

C per Fig. 2.

2. Mounted on 5mm

(0.13mm thick) land areas.

3. Measured on 8.3ms, single hal f sine-wave or equivalent s quare wave, duty cycle = 4 pulse s per minute maximum.

A transient suppressor is selected according to the working peak reverse voltage (V

R W M

), which should be equal to or greater than

the DC or continuous peak operating voltage level.

December 2,2013-REV.08

PAGE . 1

推荐资源

TI模拟电路讲义: TI模拟电路讲义...; qwqwqw2088 模拟与混合信号

更改！我想原创，才发现没想法，于是就改行发现别人的想法: 这是一个巧合，以前我从不把两个电池并联使用，从来都是串联！直到有一天，我看别人的文里面有个电路图，图里有两个电池，电池是准并联的，因为有两个二极管！电池并联的情况，如下图1 https ......; feman5012 模拟电子

ARM-Linux开发和MCU开发的不同点: 对ARM-Linux程序的开发，主要分为三类：应用程序开发、驱动程序开发、系统内核开发，针对不同种类的软件开发，有其不同的特点。今天我们来看看ARM-Linux开发和MCU开发的不同点，以及ARM-Linux ......; fish001 微控制器 MCU

状态机跳转错误: 各位大神好，我遇到一个状态机跳转错误的问题，烦请大家帮我分析，寻求解决办法。这个状态机一共26个状态，当中有5个状态，姑且叫他们A,B,C,D,E吧。状态机的输入是rdy_i和smp_rdy_i, 输出信 ......; amabag FPGA/CPLD

写了个IIC键盘驱动有些错误，大牛们过来看看能否解决，同时功能上是否能实现！: 附件里面我放了源代码，同时也将源代码帖到下面： /*IIC键盘程序：CPU是S3C2440,嵌入式操作系统是linux2.6.13,IIC键盘芯片是ZLG7290(周立功的片子)；硬件中断连接方法，将ZLG7290的INT按键 ......; 00448011 嵌入式系统

急！！PXA270+uboot+wince5.0问题: 想跟大侠们请教一个PXA270+uboot+wince5.0问题,现在uboot已经调试好了,uboot通过tftp下载NK.nb0到sdram中，运行NK时没有串口信息输出。经过“点灯法”发现程序能运行完src\kenel\oal\startup.s ......; yue009 嵌入式系统

SK 海力士开始量产 321 层 QLC NAND 闪存

8月25日消息，SK海力士公司宣布其321层2TbQLCNAND闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过300层的QLC技术应用，为NAND存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一种容量为2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量N...[详细]
从生成式AI到代理式AI：半导体技术赋能下一波创新浪潮

AI领域始终在不断演进，我们正见证一场从“生成式AI”时代到“代理式AI”时代的深刻变革。这场变革有望重塑各行各业，并释放前所未有的发展机遇。与此同时，这也需要我们提供更具创新性的技术解决方案，从而精准满足这些新兴工作负载的独特需求。如今，代理式AI正驱动各行各业变革性应用的落地。机器人领域正经历巨变，从简单的自动化发展到仓库应用、制造业等领域的复杂自主代理。与此同时，智能边缘计算也将被...[详细]
印度大局扩张半导体产业，新批准四个制造项目

印度政府近期在“印度半导体使命”（ISM）框架下，批准了四个新的半导体制造项目，这些项目分布在奥里萨邦、旁遮普邦和安得拉邦三个邦，总投资达5.5亿美元（约合印度卢比459.4亿）。随着这一轮项目的获批，ISM支持的项目总数已增至10个，在六个邦的累计投资达191.5亿美元，为印度半导体产业的发展注入了强劲动力。此次获批的项目由SiCSem、大陆设备印度有限公司（CDI...[详细]
闪迪就 HBF 高带宽闪存结盟 SK 海力士，首款 AI 推理终端设备 2027 年初出样

8月7日消息，Sandisk闪迪在今年早些时候提出了HBF高带宽闪存概念。这是一种类似HBM内存但基于NAND的新型存储，专为AI推理工作负载而设计，能在相似成本下提供8~16倍于HBM解决方案的存储容量。而在美国加州当地时间6日，闪迪宣布与SK海力士签署一项谅解备忘录(MOU)，SK海力士也将参与HBF规范的制定。SK海力士的加入对闪迪...[详细]
贸泽授权代理Renesas Electronics新技术产品为设计工程师和采购员提供丰富多样的选择

2025年11月5日–全球半导体和电子产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货嵌入式应用安全解决方案知名供应商RenesasElectronics的全新产品。贸泽供应超过28,000种Renesas元器件，其中将近10,000种有库存且可立即发货，为客户提供Renesas广泛的全新解决方案组合，并且持续增加新品。RenesasRA8P1微控制...[详细]
英特尔发布2025年第三季度财报

第三季度营收137亿美元，同比增长3%。英特尔第三季度每股收益（EPS）为0.90美元；非通用会计准则（Non-GAAP）每股收益为0.23美元。预计2025年第四季度营收为128亿至138亿美元；每股收益（损失）为（0.14）美元，非通用会计准则每股收益预计为0.08美元。英特尔的前瞻性预测已不包括Altera，因对其多数股权的出售已于2025年第三季度完成。美国加利福尼亚州...[详细]
Arm 出席 OPPO 开发者大会，解读端侧 AI 技术与应用新趋势

10月15日，OPPOColorOS16发布会暨OPPO开发者大会在深圳隆重召开，大会现场除发布OPPO最新技术外，还举办了多场论坛，与业界领袖共同探讨科技创新与人工智能(AI)新生态构建。在大会上，Arm受邀发表了主题演讲，分享端侧AI的演进趋势及Arm最新的LumexAI计算平台如何助力技术突破、应用创新及生态合作。端侧AI实...[详细]
消息称台积电 2nm (N2) 量产初期月产能约 3.5 万片晶圆，2026 年底有望达 14 万片

1月5日消息，台媒《自由财经》本月2日报道称，台积电2nm(N2)先进制程工艺量产初期的产能约为每月3.5万片晶圆，到今年底有望升至14万片/月，高于此前市场预估的10万片/月。台积电目前的2nm产能来自新竹Fab20Phase1和高雄Fab22Phase1，这两座超级晶圆厂的第二阶段(Phase2)均预计于今年内投产，同样为...[详细]
台积电中科 1.4 nm 晶圆厂瞄准 2028 年量产，剑指全球 AI 芯片制造中心

12月31日消息，台积电2nm制程已按计划于本季度投产。中国台湾《经济日报》今日指出，由于（2nm）良率表现优于预期，位于台中科学园区（中科）的1.4nm新厂建设进程将进一步加快。据介绍，中科新厂已于今年11月初启动基桩工程，预计在2027年底前完成风险性试产，并于2028年正式投入量产。目前，其设备大楼的招标作业已经完成，预计主体厂房工程的招标工作也将在近期陆续展开...[详细]
消息称 AMD 已以台积电 N3P 工艺流片下代 Radeon GPU，目标 2027 年中推出

12月26日消息，消息人士@Kepler_L2在参与X平台上有关AMD与三星潜在合作可能的讨论时表示，AMD的下一代RadeonGPU芯片已在台积电N3P工艺制程节点完成流片，预计在2027年中（IT之家注：应即当年的COMPUTEX台北国际电脑展上）发布。换句话说，下代RadeonGPU的公布时间将同现有RDNA4系列间隔约2.5年，...[详细]
高通提前完成对Alphawave Semi收购，完善AI产品组合

12月19日消息，高通于当地时间12月18日宣布，已正式完成对AlphawaveIPGroupplc（AlphawaveSemi）的收购，完成时间较原计划提前约一个季度。据高通披露，AlphawaveSemi在高速有线连接技术方面的能力，将与高通下一代QualcommOryonCPU和QualcommHexagonNPU处理器形成互补。双方的整合将...[详细]
智能设备广泛兴起，SmartDV将以定制化与功能安全IP及生态合作推动相关芯片设计

中国北京，2025年11月——向全球市场提供灵活、高度可配置、可定制的半导体设计知识产权（IP）和验证IP（VIP）的领先开发商SmartDVTechnologies™宣布，将出席于2025年11月20日-21日在成都•中国西部国际博览城隆重举办的“成渝集成电路2025年度产业发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）”。本届大会正值人工智能（AI）和边缘AI...[详细]
贸泽电子新品推荐：2025全年推出超过40000个新物料专注于引入新品的全球授权代理商

2026年1月19日–致力于快速引入新产品与新技术的业界知名代理商贸泽电子(MouserElectronics)，首要任务是提供来自1200多家知名厂商的新产品与技术，帮助客户设计出先进产品，并加快产品上市速度。贸泽旨在为客户提供全面认证的原厂产品，并提供全方位的制造商可追溯性。2025年，贸泽总共推出了超过40000个物料，均可在订单确认后当天发货，其中仅在第四季度就新增逾7...[详细]
打破 20 年技术僵局，西电团队攻克芯片散热世界难题

1月16日消息，据西安电子科技大学官方公众号1月13日报道，西安电子科技大学团队打破20年技术僵局，攻克芯片散热世界难题。长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获...[详细]
国产光刻胶通过量产验证，武汉太紫微公司 T150 A 分辨率达 120nm

10月15日消息，据武汉东湖新技术开发区管理委员会（中国光谷）今日消息，光谷企业在半导体专用光刻胶领域实现重大突破：武汉太紫微光电科技有限公司（以下简称“太紫微公司”）推出的T150A光刻胶产品，已通过半导体工艺量产验证，实现配方全自主设计，有望开创国内半导体光刻制造新局面。中国光谷官方介绍称：“该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于被业内称之为‘妖胶’的国...[详细]

小广播

热搜元器件