Datasheet> 器件分类 > 电源/电源管理> 电源电路> CJ78M08(TO-252)

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CJ78M08(TO-252): 产品描述Regulator, 1 Output, BIPolar,; 产品类别电源/电源管理电源电路; 文件大小86KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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CJ78M08(TO-252)概述

Regulator, 1 Output, BIPolar,

CJ78M08(TO-252)规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	, SMSIP3H,.38,90TB
Reach Compliance Code	unknown
可调性	FIXED
标称回动电压 1	2 V
最大绝对输入电压	25 V
最大电网调整率	0.1%
最大负载调整率	0.16%
输出次数	1
端子数量	3
工作温度TJ-Max	125 °C
工作温度TJ-Min
最大输出电流 1	0.5 A
标称输出电压 1	8 V
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	SMSIP3H,.38,90TB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
技术	BIPOLAR
端子节距	2.3 mm
端子位置	SINGLE
最大电压容差	5%

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-252 Encapsulate Three-terminal Voltage Regulator

TO-252

CJ78M08

Three-terminal positive voltage regulator

1. INPUT

FEATURES

Maximum Output

current

Output voltage

2. GND

3. OUTPUT

0.5

1 2

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Operating temperature range applies unless otherwise specified)

Parameter

Input Voltage

Storage Temperature Range

Symbol

stg

Value

10.5~25

-65 to 150

Unlts

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Vi=10V,Io=350mA,0℃<Tj<125℃,C1=0.33µF,Co=0.1µF, unless otherwise specified )

Parameter

Output voltage

Load Regulation

Line regulation

Quiescent Current

Quiescent Current Change

Output Noise VoItage

Dropout Voltage

Symbol

∆Vo

∆Iq

CJ78M08

UTC

0.33µF

Test conditions

Tj=25℃

10.5V≤V

≤23V,

Io=5mA~350mA

Tj=25℃, Io=5mA~500mA

Tj=25℃, Io=5mA~200mA

11V≤V

≤25V,

Io=200mA ,Tj=25℃

10.5V≤V

≤25V,

Io=200mA ,Tj=25℃

Tj=25℃

10.5V≤V

≤25V,

Io=200mA

5mA≤I

≤350mA

10Hz≤f≤100KHz, Tj=25℃

Tj=25℃

MIN

7.7

7.6

TYP

MAX

8.3

8.4

160

100

0.8

0.5

UNIT

µV

TYPICAL APPLICATION

0.1µF

Note: Bypass capacitors are recommended for optimum stability and transient response and should be located as close as

Possible to the regulators.

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