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MBR6050PT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小59KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR6050PT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, TO-247AD, TO-3P, 3 PIN

MBR6050PT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明TO-3P, 3 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.79 V
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流100 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBR6040PT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency
• High current capability
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40 to 200 Volts
CURRENT
60 Amperes
0.839(21.30)
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247AD / TO-3P molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.2245 ounces, 6.3673 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P ea k Re vers e Vo ltag e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F orwa rd C urre nt
P e a k F orwa rd S urge C urre nt : 8 .3 ms s i ngle
ha lf s i ne -wa ve s up eri mp o se d on ra te d lo a d
Ma xi mum F orwa rd Vo lta g e a t 30 A p e r le g
Ma xi mum D C Reve rs e C urrent a t
Ra te d D C B lo c ki ng Vo ltag e
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nce
Op e ra ti ng J unc ti on a nd S to ra g e Te mp erature
Ra nge
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 00
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
S TG
MB R60 40 P T MB R60 45 PT
MB R6 05 0P T M BR6 06 0P T MB R60 80 P T MB R60 90 P T MB R60 10 0P T MB R60 15 0P T MB R6 02 00 PT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
60
400
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7
0 .7 9
0 .1
20
1 .5
0 .8
0 .0 5
20
0 .9
V
mA
O
C / W
O
-5 5 to + 1 50
-65 to +175
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
November 11,2013-REV.07
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