HCS86KMSH,HCS86KMSH pdf中文资料,HCS86KMSH引脚图,HCS86KMSH电路-Datasheet-电子工程世界

HCS86KMSH: 产品描述XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小215KB，共6页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HCS86KMSH概述

XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

HCS86KMSH规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	DFP, FL14,.3
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDFP-F14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	XOR GATE
最大I（ol）	0.00005 A
功能数量	4
输入次数	2
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DFP
封装等效代码	FL14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	26 ns
传播延迟（tpd）	25 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
筛选级别	38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V

HCS86KMSH相似产品对比

	HCS86KMSH	5962R9578301VXX	5962R9578301VXC	5962R9578301VCX	5962R9578301VCC	HCS86DMSH
描述	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14	XOR Gate, HC/UH Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY	RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH	HC/UH
JESD-30 代码	R-CDFP-F14	R-CDFP-F14	R-CDFP-F14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型	XOR GATE	XOR GATE	XOR GATE	XOR GATE	XOR GATE	XOR GATE
功能数量	4	4	4	4	4	4
输入次数	2	2	2	2	2	2
端子数量	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
传播延迟（tpd）	25 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	25 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	1M Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	1M Rad(Si) V
JESD-609代码	e0	-	e4	-	e4	e0
负载电容（CL）	50 pF	-	50 pF	-	50 pF	50 pF
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	GOLD	-	GOLD	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多