Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PJESD6V8LC-2WT/R13

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PJESD6V8LC-2WT/R13: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小161KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESD6V8LC-2WT/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30W, 5V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

PJESD6V8LC-2WT/R13规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	7.04 V
最小击穿电压	6.37 V
配置	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散	30 W
元件数量	2
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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PJESD5V6LC-2W SERIES

Low capacitance TVS arrays for ESD protection

VOLTAGE

FEATURES

• ESD Passed devices : Air mode 15KV ,human body mode 8KV

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

3~5 Volts

POWER

30 Watts

MECHANICAL DATA

• Case: SOT-323, Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight: 0.005gram

APPLICATIONS

• Computers

• Printers

• Communication systems

• Cellular phone handsets and acessories

• Wireline and wireless telephone sets

• Set top boxes

ABSOLUTE RATINGS (T

=25

Parameter

Peak pulse power (8/20

(1)

Junction temperature

Storage temperature range

Maximum lead temperature for soldering during 10s

Operating temperature rage

inital=Tamb

Symbol

STG

Value

150

-55 to + 150

260

-40 to + 150

Unit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25

B R

@1 mA

Part Number

Mi n

PJESD5V6LC-2W

PJESD6V2LC-2W

PJESD6V8LC-2W

5.32

5.89

6.37

Ma x

5.88

6.51

7.04

A

0.5

@0 V

Typ

Ma x

3.0

4.3

5.0

Marking

8.0

8.5

SAO

SAY

SAZ

NOTE : 1.For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.

REV.0.1-JUL.22.2009

PAGE . 1

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