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SB850CT_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小149KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB850CT_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 4A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

SB850CT_T0_00001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流100 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SB820CT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
20 to 60 Volts
CURRENT
8 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AB molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Maxi mum Rec urre nt P e ak Reve rs e Vo ltag e
Maxi mum RMS Voltag e
Maxi mum D C B lock i ng Vo ltag e
Maxi mum A ve ra ge F orward C urrent at T
C
=75
O
C
P ea k F o rwa rd S urge C urrent : 8.3ms s i ngle ha lf s i ne-wave
sup eri mpos ed o n rate d load (J E D E C me thod)
Maxi mum F o rwa rd Volta ge a t 4 A
Maxi mum D C Re verse C urrent a t Ra te d D C B lock i ng
Vo ltage
Typi c al The rma l Re si stanc e
Ope ra ti ng J unc ti on Temp erature Range
S to ra ge Temp erature Range
T
J
=25
O
C
T
J
=10 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F (AV )
I
FS M
V
F
I
R
R
θJC
T
J
T
S TG
S B 8 20C T S B 83 0C T S B 84 0C T S B 8 45C T S B 85 0C T S B 86 0C T UNITS
20
14
20
30
21
30
40
28
40
8
15 0
0.55
0.2
50
3
-55 to +125
-5 5 to +15 0
-5 5 to +1 50
0.1
50
O
45
31
45
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
A
0.75
V
mA
C / W
O
C
C
O
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
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PAGE . 1
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