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AM9016EDL

产品描述Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16
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文件大小414KB,共10页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM9016EDL概述

Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16

AM9016EDL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式PAGE
最长访问时间200 ns
其他特性RAS ONLY REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-CDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.43 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源+-5,12 V
认证状态Not Qualified
刷新周期128
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

AM9016EDL相似产品对比

AM9016EDL AM9016CZL AM9016DZL AM9016DDL AM9016CDL AM9016EZL
描述 Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16 Page Mode DRAM, 16KX1, 300ns, NMOS, CQCC18, LCC-18 Page Mode DRAM, 16KX1, 250ns, NMOS, CQCC18, LCC-18 Page Mode DRAM, 16KX1, 250ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16 Page Mode DRAM, 16KX1, 300ns, NMOS, CDIP16, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-16 Page Mode DRAM, 16KX1, 200ns, NMOS, CQCC18, LCC-18
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
零件包装代码 DIP LCC LCC DIP DIP LCC
包装说明 DIP, DIP16,.3 QCCN, QCCN, DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 QCCN,
针数 16 18 18 16 16 18
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE PAGE
最长访问时间 200 ns 300 ns 250 ns 250 ns 300 ns 200 ns
其他特性 RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH RAS ONLY REFRESH
JESD-30 代码 R-CDIP-T16 R-CQCC-N18 R-CQCC-N18 R-CDIP-T16 R-CDIP-T16 R-CQCC-N18
长度 19.43 mm 9.015 mm 9.015 mm 19.43 mm 19.43 mm 9.015 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bi
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 16 18 18 16 16 18
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1 16KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP QCCN QCCN DIP DIP QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 128 128 128 128 128 128
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES NO NO YES
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL QUAD
宽度 7.62 mm 7.305 mm 7.305 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.305 mm
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