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RS1BWZT/R7

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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RS1BWZT/R7概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN

RS1BWZT/R7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA(W), 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RS1AWZ SERIES
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Fast Recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Glass Passivated Junction
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SMA(W) molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e Re c ti fi e d C urre nt a t T
L
=9 0
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri m p o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C me tho d )
Ma xi m um F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d D C
B lo c ki ng Vo lta g e
Ma xi m um Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 1 )
Ma xi m um J uncti o n C a p a ci ta nce (No te 2 )
Typ i c a l Junc ti o n Re s i sta nc e (No te 3 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Ra ti ng
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
S YMB OL RS 1 AW Z
RS 1 B W Z
RS 1 D WZ
RS 1 GW Z RS 1 J W Z RS 1 K W Z
RS 1 MW Z
UNITS
V
V
V
A
A
V
μA
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( AV)
I
F SM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
A
R
θ
JL
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
1 .3
5 .0
150
600
420
600
800
560
800
1000
800
1000
150
12
100
32
-5 5 to +1 5 0
250
500
ns
pF
O
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
June 15,2011-REV.02
PAGE . 1
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