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CBD20150VCT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体   
文件大小56KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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CBD20150VCT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:CBD20150VCT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:150V


最大平均整流电流Io:20A


最大前向浪涌电流I FSM:200A


正向压降VF:0.61/0.68/0.76V 当IF=3/5/10A时


最大反馈电流IR:100uA 当VR=150V


封装:TO-220AB


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CBD20150VCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.624(15.87)
0.548(13.93)
150 Volts
CURRENT
20 Amperes
0.419(10.66)
0.387(9.85)
0.139(3.55)
MIN.
0.196(5.00)
0.163(4.16)
0.054(1.39)
0.045(1.15)
Case : TO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight : 0.0655 ounces, 1.859 grams.
0.038(0.96)
0.019(0.50)
MAX.
MECHANICAL DATA
0.177(4.5)
0.058(1.47)
0.042(1.07)
0.50(12.7)MIN.
0.115(2.92)
0.080(2.03)
0.025(0.65)MAX.
0.100(2.54)
0.100(2.54)
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
( No te 1 )
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJC
T
J
T
STG
VALUE
150
105
150
20
10
200
2.5
-55 to + 150
-55 to + 150
O
UNIT
V
V
V
A
A
C /W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=120V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=150V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
MIN.
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.61
0.68
0.76
0.50
0.56
0.64
6.82
-
16
MAX.
-
-
-
0.81
-
-
-
-
100
-
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage per
diode
V
F
T
J
=125
o
C
V
μA
μA
mA
April 10,2012-REV.01
PAGE . 1
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