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CBD20100VCT_T0_10001

产品描述CBD20100VCT
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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CBD20100VCT_T0_10001概述

CBD20100VCT

CBD20100VCT_T0_10001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.74 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流80 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

CBD20100VCT_T0_10001文档预览

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CBD20100VCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
100 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICAL DATA
Case : TO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Weight : 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum dc blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current : 8.3ms single half
sine-wave superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
( No te 1 )
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F(AV)
I
FSM
R
ΘJC
T
J
T
STG
VALUE
100
71
100
20
10
200
2.5
-55 to + 150
-55 to + 150
O
UNIT
V
V
V
A
A
C /W
o
C
C
o
Note : 1. Mounted on infinite heatsink.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=1mA
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
I
F
=3A
I
F
=5A
I
F
=10A
V
R
=80V
Reverse current per diode
I
R
V
R
=100V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
T
J
=25
o
C
MIN.
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
0.5
0.56
0.69
0.42
0.49
0.59
10
-
20
MAX.
-
-
-
0.74
-
-
-
-
80
-
UNIT
V
V
Instantaneous forward voltage per
diode
V
F
T
J
=125
o
C
V
μA
μA
mA
December 14,2012-REV.00
PAGE . 1
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