1N52 SERIES
稳压（½纳）二极管
Zener Diodes
■特征
Features
●
P
tot
500mW
●
V
z
2.4V-75V
1.02(26.0)
MIN
■外½尺寸和印记
Outline Dimensions and Mark
DO-35
.165(4.20)
MAX
1.02(26.0)
MIN
.022(0.55)
MAX
■用途 Applications
●稳定电压用 Stabilizing
Voltage
.079(2.00)
MAX
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
损耗功率
Power dissipation
½纳电流
Zener current
最大结温
Maximum junction temperature
存储温度范围
Storage temperature range
符号
Symbol
P
tot
I
Z
T
j
单½
Unit
mW
mA
℃
条件
Conditions
T
L
=25℃
最大值
Max
500
P
tot
/V
Z
175
T
stg
℃
-65 to +175
■电特性 （T
a=25
℃
除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25
℃
Unless otherwise specified）
参数名称
Item
典型热阻(1)
Thermal resistance
正向电压
Forward voltage
符号
Symbol
R
θJA
V
F
单½
Unit
℃/W
V
条件
Conditions
结到环境，L=4毫米，T
L
=常温
junction to ambient air, L=4mm,T
L
=constant
I
F
=200mA
最大值
Max
300
1.1
Document Number 0243
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
1N52 SERIES
■电性参数
(T
A
=25
℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics (T
A
=25
℃
unless otherwise noted)
1N5221B...1N5267B
额定½纳电压
产品型号
Part Number
Nominal Zener
voltage
1)
at I
ZT
, V
Z
V
1N5221B
1N5222B
1N5223B
1N5224B
1N5225B
1N5226B
1N5227B
1N5228B
1N5229B
1N5230B
1N5231B
1N5232B
1N5233B
1N5234B
1N5235B
1N5236B
1N5237B
1N5238B
1N5239B
1N5240B
1N5241B
1N5242B
1N5243B
1N5244B
1N5245B
1N5246B
1N5247B
1N5248B
1N5249B
1N5250B
1N5251B
1N5252B
1N5253B
1N5254B
1N5255B
1N5256B
1N5257B
1N5258B
1N5259B
1N5260B
2.4
2.5
2.7
2.8
3
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
测试电流
Test current
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9
8.5
7.8
7.4
7
6.6
6.2
5.6
5.2
5
4.6
4.5
4.2
3.8
3.4
3.2
3
最大动态阻抗
Maximum dynamic
impedance resistance
1)
Z
ZT
at I
ZT
Ω
30
30
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
7
5
6
8
8
10
17
22
30
13
15
16
17
19
21
23
25
29
33
35
41
44
49
58
70
80
93
最大动态阻抗
Maximum dynamic
impedance resistance
Z
ZK
at I
ZK
=0.25mA
Ω
1200
1250
1300
1400
1600
1600
1700
1900
2000
1900
1600
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
700
700
800
900
温度系数
Temperature of
Coefficient
at I
ZT
α(%/K)
- 0.085
- 0.085
- 0.080
- 0.080
- 0.075
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+ 0.055
+ 0.030
+ 0.030
+ 0.038
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.065
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.076
+ 0.077
+ 0.079
+ 0.082
+ 0.082
+ 0.083
+ 0.084
+ 0.085
+ 0.086
+ 0.086
+ 0.087
+ 0.088
+ 0.089
+ 0.090
+ 0.091
+ 0.091
+ 0.092
+ 0.093
+ 0.094
+ 0.095
反向漏电流
Reverse leakage current
I
R
μA
100
100
75
75
50
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
3
3.5
4
5
6
6.5
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
18
19
21
21
23
25
27
30
33
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1N52 SERIES
■电性参数
(T
A
=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics (T
A
=25℃ unless otherwise noted)
1N5221B...1N5267B
额定½纳电压
产品型号
Part Number
Nominal Zener
voltage
1)
at I
ZT
, V
Z
V
1N5261B
1N5262B
1N5263B
1N5264B
1N5265B
1N5266B
1N5267B
47
51
56
60
62
68
75
测试电流
Test current
I
ZT
mA
2.7
2.5
2.2
2.1
2
1.8
1.7
最大动态阻抗
Maximum dynamic
impedance resistance
1)
Z
ZT
at I
ZT
Ω
105
125
150
170
185
230
270
最大动态阻抗
Maximum dynamic
impedance resistance
Z
ZK
at I
ZK
=0.25mA
Ω
1000
1100
1300
1400
1400
1600
1700
温度系数
Temperature of
Coefficient
at I
ZT
α(%/K)
+0.095
+ 0.096
+ 0.096
+ 0.097
+0.097
+ 0.097
+ 0.098
反向漏电流
Reverse leakage current
I
R
μA
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
V
36
39
43
46
47
52
56
备注：Notes:
1)
基于直流测试下的热平衡；引线长度=9.5（3/
8"）；散热器的热阻为 30℃/W
Based on dc-measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5 (3/8 "); thermal resistance of heat sink = 30
℃/W
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■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
图
1
：总功率损耗与环境温度关系
FIG1: Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Ptot(mW)
RthA(K/W)
图
2
： 热 阻 与 引 线 长 度 关 系
F IG 2 : T h e rm a l R e s is ta n c e v s . L e a d L e n g th
500
600
500
400
400
T L = c o n s ta n t
300
300
200
200
100
0
100
0
0
40
80
120
160
200
0
5
10
15
20
L
(
m m )
Tamb
（℃）
图
3
：工½电压在工½条件Tamb=25度下的典型变化
FIG3:Typical Change of Working Voltage under
Operating Conditions at Tamb=25
℃
1000
Vz(mV)
图
4
： 工 ½ 电 压 的 典 型 变 化 与 结 温 的 关 系
FIG4: Typical Ch ang e of W orking Voltage vs.
Junctio n Tem p erature
Vztn
1.3
V ztn=Vzt/V z(25
℃
)
1.2
TKvz= 10 ×1 0-4/K
-4× 10-4/K
8×10 -4/K
Tj=25
℃
100
1.1
6×10 -4/K
4 ×10-4/K
2 ×10-4/K
10
Iz=5mA
1.0
0
-4× 10-4/K
-4× 10-4/K
0.9
1
0
5
10
15
20
25
Vz(V)
0.8
-60
0
60
120
180
240
Tj(
℃
)
图
5
： 温 度 系 数 与 ½ 纳 电 压 的 关 系
F IG 5 : T e m perature C o efficien t of V z vs. Z -volta ge
TKvz(10-4/K)
15
图
6
： 正 向 电 流 与 正 向 电 压 的 关 系
F IG 6: F orw ard C urrent vs. F orw ard V oltage
IF(mA)
100
10
10
T j=25
℃
1.0
5
0.1
0
0.01
-5
0
10
20
30
40
50
V z(V )
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V F (V )
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1N52 SERIES
■特性曲线（典型）
Characteristics(Typical)
Iz(mA)
图
7
：½纳电流与½纳电压的关系
FIG7: Z-Current vs. Z-Voltage
Iz(mA)
100
图
8
：½纳电流与½纳电压的关系
FIG8: Z-Current vs. Z-Voltage
50
80
Ptot=500mW
Tamb=25
℃
60
40
Ptot=500mW
Tamb=25
℃
30
40
20
20
10
0
0
4
8
12
16
20
Vz(V)
0
15
20
25
30
35
Vz(V)
图
9
：不同½纳阻抗与½纳电压的关系
FIG9:Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
Rz(Ω)
1000
Iz=1mA
100
5mA
10
10mA
Tj=25
℃
1
0
5
10
15
20
25
Vz(V)
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