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UG1001M

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
下载文档 详细参数 全文预览

UG1001M概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

UG1001M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-41
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

UG1001M文档预览

LITE-ON
SEMICONDUCTOR
UG1001M thru UG1007M
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
ULTRA FAST
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Ultra fast switching for high efficiency
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon, Alcohol, Chlorothene and
similar solvents
Plastic material has UL flammabitily classification 94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.3 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.10
0.71
DO-41
Max.
-
5.20
0.86
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
UG
1001M
50
35
50
UG
1002M
100
70
100
UG
1003M
200
140
200
UG
1004M
400
280
400
1.0
30
1.0
1.3
5
100
50
20
40
-55 to +150
75
10
1.7
UG
1005M
600
420
600
UG
UG
1006M 1007M
800
1000
560
700
800
1000
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
(AV)
@T
A
=
55 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load(JEDEC Mothod)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
0JA
A
V
uA
ns
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Maximum Reverse Recovery Time(Note 1)
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Storage / Operating Temperature Range
T
STG
,T
J
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDFC02
NOTES : 1.Test condition of T
RR
:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Ambient.
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
UG1001M thru UG1007M
AVERAGE FORWARD CURRENT
AMPERES
1.0
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,
AMPERES
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
40
0.8
30
0.6
0.4
20
0.2
SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz
RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD
10
Pulse width 8.3ms
Single Half-Sine-Wave
(JEDEC METHOD)
0
25
0
1
2
5
10
20
50
100
50
75
100
125
150
175
AMBIENT TEMPERATURE , C
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.3 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
100
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
10
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ,(A)
CAPACITANCE , (pF)
UG1001M to UG1004M
1.0
UG1001M to UG1004M
10
UG1005M - UG1007M
0.1
UG1005M - UG1007M
T
J
= 25
PULSE WIDTH 300us
C
T
J
= 25 C, f = 1MHz
1.0
1
4
10
100
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
REV. 2, 01-Dec-2000, KDFC02
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