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MBR25100CT_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR25100CT_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

MBR25100CT_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流12.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBR2540CT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage, high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
40 to 200 Volts
CURRENT
25 Amperes
MECHANCEAL DATA
• Case: TO-220AB Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re curre nt P e ak Reve rse Vo ltag e
Ma xi mum RMS Vo lta ge
Ma xi mum D C B locki ng Voltag e
Ma xi mum A ve ra ge Fo rwa rd C urre nt (S ee fi g.1 )
P e a k F orward S urg e C urre nt : 8 .3 ms si ng le half si ne -
wa ve supe ri mpo sed on ra te d lo ad (JE D E C me tho d)
Ma xi mum F orward Voltag e a t 1 2.5 A , p er le g
Ma xi mum D C Reve rse Curre nt at Rate d D C
B lo cki ng Vo lta ge
Typi cal The rma l Re si sta nce
Op era ti ng Juncti o n a nd S to ra g e Te mp e ra ture Rang e
T
J
=25
O
C
T
J
=12 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJC
T
J
,T
S TG
MB R25 4 0C T MB R25 4 5C T MB R2 55 0 CT MB R25 6 0C T MB R2 58 0 CT MB R2 59 0 CT MB R2 5 10 0 CT MBR2 5 15 0 CT MBR2 5 20 0 CT
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
25
200
90
63
90
10 0
70
10 0
1 50
1 05
1 50
200
1 40
200
0 .7
0.75
0 .0 5
20
2
0 .8
0 .9
V
mA
O
C /W
O
-50 to + 1 5 0
-65 to +175
C
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
December 26,2012-REV.05
PAGE . 1
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