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SB1030DC_R2_00001

产品描述Rectifier Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小521KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB1030DC_R2_00001概述

Rectifier Diode,

SB1030DC_R2_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
应用POWER
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流150 A
相数1
端子数量2
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流200 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SB1020DC~SB1060DC
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Lead free in
compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249 standard
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.035(0.9)MAX.
0.110(2.8)
0.236(6.0)
0.197(5.0)
0 .35 7 (9 .1 )
0 .33 5 (8 .5 )
20 to 60 Volt
CURRENT
10 Ampere
0.409(10.4)
0.387(9.80)
0.189(4.8)
0.137(4.4)
0.055(1.4)
0.047(1.2)
0 .4 1 8 (1 0 .6 )
0 .3 7 8 (9 .60 )
• Low forwrd voltge, high current capability
0.026(0.7)
0.011(0.3)
MECHANICALDATA
• Case: TO-263 Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.049 ounces, 1.38 grams.
0.108(2.75)
0.092(2.35)
0.108(2.75)
0.092(2.35)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum R MS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt
T
C
=7 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV )
I
F S M
V
F
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
I
R
R
θJ
C
T
J
T
S TG
S B 10 20 D C S B 1 03 0D C S B 104 0D C S B 10 45 D C S B 1 05 0D C S B 106 0D C
UNITS
V
V
V
A
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
10
150
0 .5 5
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le h a lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o se d o n ra te d lo a d
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 5 A ,
Ma xi mum D C R e ve rs e C urre nt a t
Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nce
Op e ra ti ng J unc ti o n Te mp e ra ture Ra ng e
S to ra g e Te mp e ra ture Ra ng e
0 .7 5
0 .1
50
3 .0
O
V
mA
C / W
O
0 .2
50
-5 5 to + 1 2 5
-5 5 to + 1 5 0
-5 5 to + 1 5 0
C
C
O
Note.
Both Bonding and Chip structure are available.
October 3,2018-REV.02
PAGE . 1
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