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SMF160AT/R13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小165KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SMF160AT/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

SMF160AT/R13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-219AB
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
最大击穿电压197 V
最小击穿电压178 V
击穿电压标称值187.5 V
最大钳位电压259 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-219AB
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压160 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SMF160AT/R13文档预览

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SMF5.0A~SMF170A
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
VOLTAGE
FEATURES
0.075(1.90)
0.067(1.70)
5.0 to 170 Volts
CURRENT
200 Watts
• For surface mounted applications in order to optimize board space.
• Low profile paceage
• Built-in strain relief
• Low inductance
• High temperature soldering : 260
O
C/10 seconds at terminals
0.115(2.90)
0.106(2.70)
0.145(3.70)
0.137(3.50)
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123FL, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denotes positive end (cathode)
• Weight: 0.0006 ounces, 0.017 grams
• Standrad Packaging : 8mm tape (EIA-481)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25 C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak Pulse Power Dissipation on T
A
= 25
O
C (Notes 1,2,5, Fig.1)
Peak Forward Surge Current per (Note 3)
Peak Pulse Current on 10/1000s waveform(Note 1)Fig.2
Steady State Power Dissipation (NOTE 4)
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
Thermal resistance
SYMBOL
P
PPM
I
FSM
I
PPM
P
M(AV)
T
J
,T
STG
R
θJA
VALUE
200
20
see Table 1
1.0
-55 to +150
180
UNITS
Watts
Amps
Amps
Watts
O
o
0.008(0.20)
0.004(0.10)
0.044(1.10)
0.031(0.80)
0.043(1.08)
0.038(0.98)
C
C
O
NOTES :
1.Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T
A
=25
O
C per Fig.2 .
2.Mounted on 5.0mm
2
copper pads to each terminal.
1
2
C atho d e
A node
3.8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4.lead temperature at 75
O
C =T
L
.
5.Peak pulse power waveform is 10/1000μs.
Octorber 07,2011-REV.01
PAGE . 1
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