W3H64M64E-533SBI,W3H64M64E-533SBI pdf中文资料,W3H64M64E-533SBI引脚图,W3H64M64E-533SBI电路-Datasheet-电子工程世界

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W3H64M64E-533SBI: 产品描述DDR DRAM, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PBGA208, 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208; 产品类别存储存储; 文件大小928KB，共32页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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W3H64M64E-533SBI概述

DDR DRAM, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PBGA208, 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208

W3H64M64E-533SBI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208
内存密度	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	208
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA208,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.028 A
最大压摆率	1.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

W3H64M64E-533SBI相似产品对比

	W3H64M64E-533SBI	W3H64M64E-667SBM	W3H64M64E-533SBC
描述	DDR DRAM, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PBGA208, 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	DDR DRAM, 64MX64, 0.45ns, CMOS, PBGA208, 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208	DDR DRAM, 64MX64, 0.5ns, CMOS, PBGA208, 16 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-208
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40	BGA, BGA208,11X19,40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns	0.45 ns	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	333 MHz	266 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208	R-PBGA-B208
内存密度	4294967296 bit	4294967296 bit	4294967296 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	208	208	208
字数	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-55 °C	-
组织	64MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA
封装等效代码	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40	BGA208,11X19,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES
最大待机电流	0.028 A	0.028 A	0.028 A
最大压摆率	1.4 mA	1.76 mA	1.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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