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RS1DB

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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RS1DB概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

RS1DB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
RS1AB thru RS1MB
REVERSE VOLTAGE -
50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
SURFACE MOUNT
FAST RECOVERY RECTIFIERS
FEATURES
Fast switching for high efficiency
For surface mounted applications
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
SMB
SMB
A
DIM.
A
B
B
C
C
D
E
F
F
E
D
G
H
MIN.
4.06
3.30
1.96
0.15
5.21
0.05
2.01
0.76
MAX.
4.57
3.94
2.21
0.31
5.59
0.20
2.62
1.52
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.003 ounces, 0.093 grams
G
H
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
RS1AB
RS1BB
100
70
100
RS1DB RS1GB RS1JB
200
140
200
400
280
400
1.0
30
1.3
5.0
200
600
420
600
RS1KB RS1MB
UNIT
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
@T
L
=90 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
0JL
A
V
uA
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
150
15
30
-55 to +150
-55 to +150
250
500
ns
pF
C/W
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KSEB01
NOTES : 1.Reverse Recovery Test Conditions :I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,I
RR
=0.25A.
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Lead .
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