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2N4919LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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2N4919LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2N4919LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)3 MHz
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