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D3G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, T-1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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D3G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, T-1, 2 PIN

D3G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明PLASTIC, T-1, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY, HIGH CURRENT CAPABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
D1G thru D7G
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
MINIATURE
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification 94V-0
A
T-1
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : Molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.004 ounces, 0.13 grams
Mounting position : Any
T-1
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
2.60
0.53
Max.
-
3.20
0.64
2.20
2.60
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
SYMBOL
D1G
50
35
50
D2G
100
70
100
D3G
200
180
200
D4G
400
280
400
1.0
30
1.0
5.0
50
10
45
2.0
-55 to +150
-55 to +150
D5G
600
420
600
D6G
800
560
800
D7G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
A
=
75 C
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
T
RR
A
V
uA
pF
C/W
us
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Typical Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDDA01
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3. Reverse Recovery Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A
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