Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SD1020CS_L2_00001

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SD1020CS_L2_00001: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 20V V(RRM), Silicon, TO-252,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小294KB，共5页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD1020CS_L2_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 20V V(RRM), Silicon, TO-252,

SD1020CS_L2_00001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	CATHODE
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.55 V
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流	100 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	20 V
最大反向电流	200 µA
表面贴装	YES
技术	SCHOTTKY
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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SD1020CS~SD1060CS

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Low power loss, High efficiency

• High surge capacity

• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and

polarity protection applications

• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive

• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)

20 to 60 Volt

CURRENT

10 Ampere

MECHANICAL DATA

• Case: TO-252 molded plastic

• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: As marking

• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.

• Marking: Part number

MAXIMUM RATINGS AND DELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

PA RAM ET E R

M a ximum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lt a g e

M a ximum RM S Vo lt a g e

M a ximum DC B lo c k ing Vo lt a g e

M a ximum Ave r a g e F o r w a r d Re c t if ie d Cur r e nt a t T

= 7 5

Pe a k F o r w a r d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le ha lf s ine - w a ve

s up e r imp o s e d o n r a t e d lo a d

M a ximum I ns t a nt a ne o us F o r w a r d Vo lt a g e a t 5 A p e r le g

M a ximum DC R e ve r s e Cur r e nt a t R a t e d DC Blo c k ing T

= 2 5

Vo lt a g e

= 1 0 0

Ty p ic a l T he r ma l Re s is t a nce

O p e r a t ing J unc t io n Te mp e r a t ur e Ra ng e

St o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e

SY M B O L

SD10 20 CS S D1 03 0CS SD10 40 CS SD1 05 0CS SD10 60 CS

UNI TS

RR M

RM S

F ( AV )

F SM

θJ

STG

-55 to +125

0.55

0.2

-55 to +150

-55 t o +150

100

0.75

0.1

C / W

NOTES:

1. Both Bonding and Chip structure are available.

May 12,2016REV.06

PAGE . 1

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