Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3/2
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) |
| 包装说明 | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE, PD-CASE |
| 应用 | EFFICIENCY |
| 外壳连接 | CATHODE |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 3.93 V |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 190 A |
| 元件数量 | 1 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 16 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 最大功率耗散 | 151 W |
| 最大重复峰值反向电压 | 1200 V |
| 最大反向电流 | 20 µA |
| 最大反向恢复时间 | 0.135 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| VS-HFA16TB120STRRPBF | VS-HFA16TB120STRLPBF | |
|---|---|---|
| 描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3/2 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 包装说明 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE, PD-CASE | LOW NOISE |
| 应用 | EFFICIENCY | EFFICIENCY |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 190 A | 190 A |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 相数 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 最大输出电流 | 16 A | 16 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 最大反向恢复时间 | 0.135 µs | 0.135 µs |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
