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PJESD6V2LC-2WT/R13

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 30W, 4.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小161KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESD6V2LC-2WT/R13概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 30W, 4.3V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

PJESD6V2LC-2WT/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压6.51 V
最小击穿电压5.89 V
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值反向功率耗散30 W
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压4.3 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PJESD6V2LC-2WT/R13文档预览

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PJESD5V6LC-2W SERIES
Low capacitance TVS arrays for ESD protection
VOLTAGE
FEATURES
• ESD Passed devices : Air mode 15KV ,human body mode 8KV
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
3~5 Volts
POWER
30 Watts
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.005gram
APPLICATIONS
• Computers
• Printers
• Communication systems
• Cellular phone handsets and acessories
• Wireline and wireless telephone sets
• Set top boxes
ABSOLUTE RATINGS (T
A
=25
o
C)
Parameter
Peak pulse power (8/20
μ
s)
(1)
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum lead temperature for soldering during 10s
Operating temperature rage
T
J
inital=Tamb
Symbol
P
PP
T
J
T
STG
T
L
T
OP
Value
30
150
-55 to + 150
260
-40 to + 150
Unit
W
o
C
C
C
C
o
o
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C)
V
B R
@1 mA
Part Number
Mi n
V
PJESD5V6LC-2W
PJESD6V2LC-2W
PJESD6V8LC-2W
5.32
5.89
6.37
Ma x
V
5.88
6.51
7.04
I
A
0.5
0.5
0.5
RM
@V
RM
C
J
@0 V
Typ
pF
Ma x
V
RM
V
3.0
4.3
5.0
Marking
3
8.0
8.0
8.5
SAO
SAY
SAZ
NOTE : 1.For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.
1
2
REV.0.1-JUL.22.2009
PAGE . 1
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