K4S64323LH-FC600,K4S64323LH-FC600 pdf中文资料,K4S64323LH-FC600引脚图,K4S64323LH-FC600电路-Datasheet-电子工程世界

K4S64323LH-FC600: 产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90; 产品类别存储存储; 文件大小141KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数全文预览

K4S64323LH-FC600概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	90
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
长度	13 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	2MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190