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NT4GC64B8HB0NS-DI

产品描述DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
产品类别存储    存储   
文件大小997KB,共28页
制造商南亚科技(Nanya)
官网地址http://www.nanya.com/cn
南亚科技股份有限公司以成为最佳DRAM(动态随机存取记忆体)之供应商为目标,强调以服务客户为导向,透过与夥伴们紧密的合作,强化产品的研发与制造,进而提供客户全方位产品及系统解决方案。面对持续成长的利基型DRAM市场,南亚科技除了提供从128Mb到8Gb产品,更持续拓展产品多元化。主要的应用市场包括数位电视、机上盒(STB)、网通、平板电脑等智慧电子系统、车用及工规等产品。同时,为满足大幅成长的行动与穿戴装置市场需求,南亚科技更专注於研发及制造低功耗记忆体产品。近年来,南亚科技积极经营利基型记忆体市场,专注於低功耗与客制化核心产品线的研发。在制程进度上,更导入20奈米制程技术,致力於生产DDR4和LPDDR4产品,期能进一步提升整体竞争力。南亚科技也将持续强化高附加价值利基型记忆体战线与完美的客户服务,强化本业营运绩效,确保所有股东权益,创造企业永续经营之价值。
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NT4GC64B8HB0NS-DI概述

DDR DRAM Module, 512MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

NT4GC64B8HB0NS-DI规格参数

参数名称属性值
厂商名称南亚科技(Nanya)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM,
针数204
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N204
JESD-609代码e4
长度67.6 mm
内存密度34359738368 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.8 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
宽度30 mm
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