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PG200_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小85KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG200_B0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,

PG200_B0_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流1 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PG200~PG2010
GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
2.0 Amperes
DO-15
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Glass passivated junction
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
.230(5.8)
.140(3.6)
1.0(25.4)MIN.
• Polarity: Color Band denotes cathode end
.104(2.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 2 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e T
J
, T
S TG
S YM B O L
P G 2 0 0 P G 2 0 1 P G 2 0 2 P G 2 0 4 P G 2 0 6 P G 2 0 8 P G 2 0 1 0
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
R
θ
J L
T
J
,T
S T G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
2 .0
70
1 .1
1 .0
5 0 .0
25
45
28
-5 5 to +1 5 0
O
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µ
A
pF
C /
W
C
O
NOTES:1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-FEB.27.2009
1
PAGE . 1
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