Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PJSD05LCTMT/R7

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PJSD05LCTMT/R7: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小171KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05LCTMT/R7概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 100W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

PJSD05LCTMT/R7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	7.82 V
最小击穿电压	5.78 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散	100 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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PJSD05LCTM

BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE

This Penta has been designed to Protect Sensitive Equipment against ESD and to prevent Latch-Up

events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below.This offers an integrated solution to protect up to

data line where the board space is a premium.

SPECIFICATION FEATURES

• 100W Power Dippsipation (8/20s Waveform)

• Low Leakage Current,Maximum of 1A@5Vdc

0.010(0.25)

0.005(0.15)

SOD-923

Unit

：

inch(mm)

• Very low Clamping voltage

• IEC 61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance

•

0.026(0.65)

0.021(0.55)

0.034(0.85)

0.029(0.75)

APPLICATIONS

• Video I/O ports protection

• Set Top Boxes

• Portable Instrumentation

0.018(0.45)

0.013(0.35)

0.007(0.18)

0.003(0.08)

MECHANICAL DATA

• Case : SOD-923, Plastic

• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Approx. Weight : 0.000

• Marking : X

gram

0.042(1.05)

0.037(0.95)

Fig.138 (TOP VIEW)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Peak Pulse Power (8/20

s Waveform)

Peak Pulse Current (8/20

s Waveform)

ESD Voltage (HBM)

O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e

Symbol

Value

100

>25

-55 to 150

Units

ESD

, T

S TG

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25

Parameter

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage (8/20

Off State Junction Capacitance

Symbol

WRM

Conditions

Min.

Typ.

Max.

5.0

7.82

1.0

12.5

Units

μA

=1mA

=5V

=1A

0 Vdc Bias f=1MHz

5.78

REV.0.2-AUG.25.2009

PAGE . 1

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