TK100F06K3(TE24L),TK100F06K3(TE24L) pdf中文资料,TK100F06K3(TE24L)引脚图,TK100F06K3(TE24L)电路-Datasheet-电子工程世界

TK100F06K3(TE24L): 产品描述TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小217KB，共7页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TK100F06K3(TE24L)概述

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR

	TK100F06K3(TE24L)	TK100F06K3(TE24L,Q)
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,100A I(D),TO-263ABVAR
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
配置	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	100 A	100 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	180 W	180 W
表面贴装	YES	YES

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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