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GBPC5006

产品描述Single Phase 50A Silicon Bridge Rectifiers 单相50安培硅桥式整流器
产品类别分立半导体   
文件大小148KB,共2页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GBPC5006概述

Single Phase 50A Silicon Bridge Rectifiers 单相50安培硅桥式整流器

功能特点

产品名称:Single Phase 50A Silicon Bridge Rectifiers 单相50安培硅桥式整流器


产品型号:GBPC5006


产品特征:


UL Recognized File # E-230084



Ideal for printed circuit board



Reliable low cost construction technique results in inexpensive product



High temperature soldering guaranteed:


260℃ / 10 seconds / 0.375” ( 9.5mm )


lead length at 5 lbs., ( 2.3 kg ) tension



机械数据:


Case: Molded plastic


Lead: solder plated


Polarity: As marked



最大额定值和电气特性:


Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.


Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.


For capacitive load, derate current by 20%



产品数据:


Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压 :600V



Maximum RMS Voltage VRMS 电压有效值 :420V



Maximum DC blocking Voltage VDC 最大直流阻断电压:600V



Maximum Average Forward Rectified Current @TC=55℃ IF(AV) 最大正向电流 :50 A



Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Super imposed on Rated Load IFSM 最大正向浪涌电流 :400 A



Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 25A VF 最大正向压降 :1.1 V



Maximum Reverse Current at Rated DC blocking voltage Per Element IR 最大反向漏电流 :10μA



Typical Thermal Resistance (Note) RθJC 热阻系数 :1.5 ℃/W



Operating Temperature Range TJ 工作结温 :-55 to +150 ℃



Storage Temperature Range TSTG储存温度范围 :-55 to +150 ℃



封装: GBPC


GBPC5006规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流500 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流50 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO

GBPC5006文档预览

GBPC50005 THRU GBPC5010
桥式整流器
Bridge Rectifier
■特征
Features
■外½尺寸和印记
GBPC-W
1.13(28.8)
1.11(28.2)
.488(12.4)
.409(10.4)
Outline Dimensions and Mark
GBPC
1.13(28.8)
Hole for
1.11(28.2)
No.10 Screw
.681(17.3)
.193"
4.9
diam.
.602(15.3)
Hole for
No.10 Screw
.193"
4.9
diam.
I
o
V
RRM
50A
50V~1000V
玻璃钝化芯片
Glass passivated chip
耐正向浪涌电流½力高
High surge forward current capability
1.134(28.8)
1.110(28.2)
.751(19.1)
.673(17.1)
.751(19.1)
.673(17.1)
.751(19.1)
.673(17.1)
.598(15.2)
.519(13.2)
.087(2.4)
DIA
.102(2.6)
1.134(28.8)
1.110(28.2)
.681(17.3)
.602(15.3)
■用途
Applications
.033(0.85)
.029(0.75)
.251(6.4)
.244(6.2)
.322(8.2)
.299(7.6)
½一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
1.181
MIN.
(30)
.322(8.2)
.299(7.6)
.748
MIN
.
(19)
■极限值(绝对最大额定值)
Limiting Values(Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
正向(不重复)浪涌电流
Surge(Non-
repetitive)Forward Current
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
结温
Junction Temperature
绝缘耐压
Dielectric Strength
Dimensions in inches and (millimeters)
符号 单½
Symbol Unit
V
RRM
V
条件
Conditions
GBPC50
005 01 02 04 06 08
10
50 100 200 400 600 800 1000
60Hz正弦波,
电阻负½½
60Hz sine
wave, R-load
I
O
A
用散热器
Tc=55℃
With heatsink Tc=55℃
50
I
FSM
2
It
A
A
2
S
KV
60H
Z
正弦波,一个周期,T
a
=25℃
60H
Z
sine wave, 1 cycle, T
a
=25℃
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
500
1040
-55 ~+150
-55~+150
T
stg
T
j
V
dis
端子与外壳之间外加交流电,一分钟
Terminals to case,AC 1 minute
2.5
■电特性 (T
a=25℃
除非另有规定)
Electrical Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
参数名称
Item
符号
单½
Symbol Unit
V
FM
I
RRM
R
θ
J-C
V
μA
/W
测试条件
Test Condition
I
FM
=25A,
脉冲测试,单个二极管的额定值
I
FM
=25A, Pulse measurement, Rating of per diode
V
RM
=V
RRM
,脉冲测试,单个二极管的额定值
V
RM
=V
RRM
, Pulse measurement, Rating of per diode
结和管壳之间,用散热片
Between junction and case, With heatsink
最大值
Max
1.1
10
0.95
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
热阻
Thermal Resistance
Document Number 0073
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
GBPC50005 THRU GBPC5010
■特性曲线(典型)
 
Characteristics(Typical)
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1
Io-Ta
曲线
FIG1:Io-Ta Curve
IFSM(A)
Io(A)
70
60
50
图2:耐正向浪涌电流曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
750
IFSM
正弦波
sine wave
8.3ms 8.3ms
1 cycle
0
500
40
30
20
10
0
0
250
不重复
non-repetitive
Ta=25
0
50
100
150
Ta(
)
1
2
5
10
20
100
周波数
Number of Cycles
50
IF(A)
图3:正向电压曲线
FIG3:Instantaneous Forward Voltage
40
20
10
5.0
1.0
10
IR(uA)
60
100
图4:反向电流曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
Tj=125
1.0
0.5
0.2
0.1
0.01
0.1
Tj=25
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF(V)
0
20
40
60
80
100
Voltage(%)
Document Number 0073
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股½有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 
www.21yangjie.com
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