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PR3003G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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PR3003G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2

PR3003G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
零件包装代码DO-201AD
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PR3003G文档预览

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
PR3001G thru PR3007G
REVERSE VOLTAGE -
50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
3.0
Amperes
FAST RECOVERY
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
DO-201AD
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-201AD molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.04 ounces, 1.1 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
B
DO-201AD
Min.
Max.
25.4
7.30
-
9.50
1.20
1.30
C
4.80
5.30
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PR
3001G
50
35
50
PR
3002G
100
70
100
PR
3003G
200
140
200
PR
3004G
400
280
400
3.0
125
1.3
5.0
100
50
16.0
150
-55 to +150
-55 to +150
250
500
PR
3005G
600
420
600
PR
3006G
800
560
800
PR
UNIT
3007G
V
1000
V
700
V
1000
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
A
=
55 C
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
T
RR
A
V
uA
uA
pF
C/W
ns
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDEF01
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3.Reverse Recovery Test Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
求教:关于TMS320C5509A低功耗模式的问题
请教各位大神,怎么才能将C5509A的功耗降到芯片手册上的水平呢?请求各路大神给一些参考,如果有例程就更好了,先谢过各位大神了。下面附上本人写的关于DSP休眠的一个程序的主要部分,包含CSL库 ......
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