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PR1003GL

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商台湾光宝(LITEON)
官网地址http://optoelectronics.liteon.com/en-global/Home/index
标准  
Lite-On 从 1975 年开始生产 LED 灯;公司向客户提供可见观光和红外产品解决方案,稳步成长为全球最大的光电子产品制造商之一。实践证明,商用产品和应用特定型产品的大批量生产,以及强大的研发和垂直整合能力是 Lite-On 成功的关键而与众不同的因素。
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PR1003GL概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, A-405, 2 PIN

PR1003GL规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称台湾光宝(LITEON)
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL FLAMMABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)255
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LITE-ON
SEMICONDUCTOR
PR1001GL thru PR1007GL
REVERSE VOLTAGE -
50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
FAST RECOVERY
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
A-405
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC A-405 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.008 ounces, 0.22 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
A-405
Min.
25.4
4.10
5.20
B
0.53
0.64
C
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
Max.
-
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PR
PR
PR
PR
PR
PR
PR
UNIT
1001GL 1002GL 1003GL 1004GL 1005GL 1006GL 1007GL
V
100
200
400
600
800
1000
50
V
70
140
280
420
560
35
700
100
200
400
600
800
50
1000
V
1.0
30
1.3
5.0
50
15
50
A
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I (AV)
@T
A
=5
5 C
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
A
V
uA
uA
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Typical Reverse Recovery Time (note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
T
RR
150
-55 to +150
-55 to +150
250
500
ns
T
J
T
STG
C
C
REV. 2, 01-Dec-2000, KDEB02
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3. Reverse Recovery Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A.
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