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MMBZ5251BTW_R1_00001

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小249KB,共7页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBZ5251BTW_R1_00001概述

Zener Diode

MMBZ5251BTW_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
标称参考电压22 V
技术ZENER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流5.6 mA

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MMBZ5221BTW~MMBZ5262BTW
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Planar Die Construction
• 200mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~51V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
2.4 to 51 Volt
POWER
200 mWatt
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.0002 ounces, 0.006 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J
=25
O
C unless otherwise noted)
PARAMETER
Power Dissipation (Note A)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (Notes B)
Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
D
I
F
S M
VALUE
200
2
-55 to +150
UNITS
mW
A
O
T
J
,T
STG
C
NOTES :
A. Mounted on 5mm (0.013mm thick) land areas.
B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle=4 pulses per minute maximum.
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