Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC857CT

文档预览

BC857CT: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小780KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

下载文档详细参数全文预览

BC857CT概述

Transistor

BC857CT规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown

BC857CT文档预览

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors

BC857AT, BT, CT

TRANSISTOR (PNP)

SOT-523

FEATURES

Ideally suited for automatic insertion

For Switching and AF Amplifier Applications

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MARKING: BC857AT=3E; BC857BT=3F; BC857CT=3G

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Value

-50

-45

-6

-0.1

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector Cutoff Current

DC current gain

BC857AT

BC857BT

BC857CT

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter

voltage

CE(sat)

BE(sat)

BE(on)

=-10mA, I

=-0.5 mA

=-100mA, I

=-5 mA

=-10mA, I

=-0.5 mA

=-100mA, I

= -5 mA

= -5V, I

= -2mA

= -5V, I

= -10mA

= -5 V, I

= -10mA

f=100MHz

=-10V,f=1MHz

=-5V,I

=-0.2mA,

Noise figure

f=1KHZ,

=2KΩ,BW=200HZ

100

4.5

-600

-0.7

-0.9

660

-750

-820

=-5V, I

=-2mA

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

Test conditions

= -10µA, I

= -10mA, I

= -1µA, I

=-30V

125

220

420

Min

-50

-45

-6

-15

250

475

800

-0.3

-0.65

MHz

Typ

Max

Unit

Transition frequency

Collector output capacitance

A,May,2011

查看更多（仅显示前5页内容，查看全部内容请下载文档。）>

推荐资源

Altium designer winter 09: 各位大侠: 你们好!小女子求AD09软件速成资料,不胜感激,谢谢!...; zttian PCB设计

用TL3842做反激开关电源，大家觉得怎么样？: 用TL3842做反激开关电源感觉比一体化电源芯片应用更灵活。频率可以设置、电流可以设置、中功率 70164...; 老夫子模拟与混合信号

I2C驱动12864液晶: AVR128如何利用内部的I2C来驱动12864液晶显示，或者是应用到I2C有关的器件？...; 农逸 Microchip MCU

如何启用Win7自带的虚拟无线AP功能供Android等无线设备上网: 无线承载网络（Wireless Hosted Network）是Windows 7和安装有 WLAN 服务的Windows Server 2008 R2中一项新增的WLAN特性。该特性实现了以下两个主要功能： 1.将物理无线网卡虚拟为一个 ......; Jacktang 无线连接

求解释！！！求帮助！！！: 求解释！！！...; hyelectron 51单片机

黑魔书中文版-（全套）: 第一章：基础知识第二章：逻辑门的高速特性第三章：测量技术第四章：传输线第五章：地平面和叠层第六章：端接第七章：通孔第八章：电源系统第九章：连接器第十章：扁平电缆 ......; simonprince 模拟电子

Plessey Semiconductors 被中国资本收购

PlesseySemiconductors已被HayloLabs收购。HayloLabs成立于去年3月，由中国科技公司歌尔股份提供1亿美元五年期贷款。HayloLabs五个月前由成立两年的风险投资基金HayloVentures创立。HayloVentures表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的MicroLED行业的必要性，因此成立了HayloL...[详细]
台积电Q2利润飙升60%，美国芯片工厂盈利

根据最新财报数据，得益于其在先进工艺领域的领先地位，台积电（TSMC）2025年第二季度利润表现极为亮眼，税后纯利润高达3982.7亿新台币，同比激增60%以上，净利润率更是达到了惊人的42.7%。更令人瞩目的是，台积电在美国的芯片工厂运营状况超预期，税后纯利润达到42.3亿新台币。尽管这一数字相对于公司总利润而言微不足道，但其象征意义深远，标志着台积电在美国市场的初步成功。台积电计划在美国...[详细]
Yole表示，到2030年，数据中心芯片市场规模将达到5000亿美元

Yole表示，受生成式人工智能、高性能计算和超大规模计算的推动，数据中心半导体市场（涵盖计算、内存、网络和电源）的规模将从2024年的2090亿美元增长到2030年的4920亿美元。GPU占据主导地位，2024年市场规模将达到1000亿美元，到2030年预计将增长一倍以上。市场研究与战略咨询公司YoleGroup预测，GPU的收入将从2024年的1000亿美元增长到2030年的2150亿...[详细]
SK 海力士：AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%，定制 HBM 是趋势

8月11日消息，综合路透社和韩媒SEDaily、Hankyung报道，SK海力士HBM业务规划组织高管崔俊龙(ChoiJoon-yong)表示，整体AI内存市场在直到2030年的未来6年规模将实现30%年化增长率。崔俊龙表示，AI基础设施建设与HBM采购之间强相关；以亚马逊、微软、谷歌为代表的科技巨头接连上调AI基建支出，显示最终客户对AI的...[详细]
SK海力士HBM4定价曝光：较HBM3E溢价最高70%

8月6日消息，据媒体报道，作为全球最早量产HBM4的存储器制造商，SK海力士正为AI芯片提供关键解决方案。依托与英伟达的独家供应链关系及自身技术领先地位，SK海力士计划提高HBM4售价，预计相比HBM3E溢价可能高达70%。业内消息指出，今年上半年，SK海力士供应给英伟达的12层堆叠HBM4单价约为500美元，相较同规格HBM3E（约300美元）高出60%-70%。这一强势定价源于其在英伟达...[详细]
ASML亮相第八届进博会，展示其全球AI洞察与面向主流芯片市场的全景光刻解决方案

（中国上海，2025年11月4日）——半导体行业的领先供应商ASML（阿斯麦）将于11月5日至10日参加第八届中国国际进口博览会（以下简称“进博会”）。在本届进博会上，ASML将以“积纳米之微，成大千世界”为主题，亮相技术装备展区4.1展馆集成电路专区A1-03展台。ASML在2025年进博会的展台在今年进博会上，ASML将通过短片形式分享其对AI（人工智能）时代下半导体行业所面...[详细]
AI 基础设施需求增长推动工程设计全周期创新与资源优化

人工智能（AI）基础设施需求的不断增长，正推动设计全周期内的创新加速与资源高效利用。加速计算不仅缩短了设计与仿真周期，还优化了工作流程，并通过数据驱动的洞察提升人类创造力。AI与加速计算协同发力，让工程师能够实时探索创意，将设计愿景变为现实。楷登电子（Cadence）凭借其GPU加速的CadenceFidelity计算流体动力学（CFD）软件，与英伟达（NVIDIA）展开合作，为机身...[详细]
栎新源与龙芯中科签署战略合作协议，国产超声波扫描显微镜全面应用龙芯底层产品

10月16日，深圳市栎新源科技有限公司与龙芯中科技术股份有限公司于2025湾区半导体产业生态博览会（下简称“湾芯展”）期间成功举办“战略合作协议签约仪式”，引起了产业届高度关注。左：栎新源总经理周烟林；右：龙芯中科副总裁杜安利本届湾芯展，栎新源发布了首款超声波扫描显微镜OAK-SAM001，该设备全面应用龙芯自主可控微处理器与Loongnix国产操作系统，代替了传统的Windo...[详细]
巨霖科技孙家鑫：EDA行业只有第一没有第二

在半导体产业的卡脖子环节中，被誉为芯片之母的EDA工具长期被海外巨头垄断，EDA国产替代也因此成为近年来产业界的高频词汇。但巨霖科技创始人孙家鑫却提出了截然不同的观点：没有所谓的国产替代机会，只有解决客户前沿刚需的可能。这家以从芯片、封装到系统一站式EDA方案为核心竞争力的企业，正凭借主动创新的技术战略、清晰的产品布局和务实的商业逻辑，重塑国产EDA的竞争格局。国产ED...[详细]
伴芯科技重磅发布DVcrew与PDcrew两大创新产品，以AI智能体重构EDA

中国成都，2025年11月20日–今日，在2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）现场，专注于“AI+EDA”技术创新的上海伴芯科技有限公司重磅推出两款AI智能体新产品——DVcrew与PDcrew。这两款产品深度契合伴芯科技的核心使命：以AI智能体（AIAgents）重构电子设计自动化（EDA），最终实现芯片自主设计闭环（Auton...[详细]
黄仁勋：驳斥AI泡沫论对无法在华销售AI芯片失望

北京时间11月20日，AI芯片巨头英伟达今天发布了2026财年第三季度财报。随后，英伟达CEO黄仁勋(JensenHuang)、CFO克莱特·克罗斯(ColetteKress)出席电话会议，回答分析师的提问。以下是英伟达第三财季业绩和电话会议要点：——营收为570.06亿美元，较上年同期的350.82亿美元增长62%；净利润为319.10亿美元，较上年同期的193.09亿美元增长65%。...[详细]
八赴进博之约，ASMPT携手奥芯明以尖端封装技术智创中国“芯”纪元

2025年11月5日，作为中国国际进口博览会（CIIE）的“全勤生”，全球半导体封装与组装设备领军企业ASMPT第八次如约而至，携其在华战略品牌奥芯明联合亮相技术装备展区，以“赋能中国‘芯’，智创‘芯’纪元”为主题，全面展示其在人工智能、万物互连、智能出行等前沿领域的先进封装解决方案与创新成果，生动诠释如何通过先进的芯片封装与组装技术，深度参与并推动中国半导体产业的升级。作为A...[详细]
SK启方半导体进军碳化硅晶圆代工，目标年内推出1200V工艺技术

11月16日消息，SK启方半导体(SKkeyfoundry)目前是SK海力士旗下的一家8英寸纯晶圆代工厂。该企业在近期完成对同属SK集团旗下的碳化硅(SiC)技术企业SKpowertech的收购整并后，正式宣布将进军SiC晶圆代工。SK启方半导体表示，该企业在此前运营的过程中积累了丰富的工艺优化技术及提升良率的专业能力，结合SKpowertech...[详细]
I/O完成关键突破，我国算力核心部件攻克国产化“最后1%”

2月4日，光合组织成员单位灵达发布服务器存储控制与高速网络连接系列国产核心I/O部件。灵达发布的灵可达Linkdata产品采用纯自研架构，在性能与能效方面实现同步提升，打破该类关键部件长期依赖进口的局面。目前，灵可达Linkdata产品已在通用服务器、AI服务器及重点行业应用场景中实现规模化交付。纯自研I/O部件夯实底座能力本次发布的灵可达Linkdata产品覆盖HBA卡...[详细]
三星最新警告：内存成本上涨，压力或将传导至消费电子产品售价

1月7日消息，据彭博社报道，三星电子预计，存储芯片供应趋紧正在推动电子行业整体成本上升，部分压力未来可能传导至消费电子产品价格。作为全球最大的存储芯片制造商，三星电子同样难以完全避开成本上涨的影响。存储芯片是智能手机、笔记本电脑、智能家居设备以及自动驾驶汽车等产品的关键部件，其价格波动正在影响整个产业链。在CES2026展会期间，三星电子全球营销总裁李元镇（音译）接受采访时表示：...[详细]

小广播

热搜元器件