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BAV20W

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小433KB,共3页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
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BAV20W概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,

BAV20W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BAV20W文档预览

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BAV19W
thru
BAV21W
Switching Diodes
Features
§
Small signal switching diode
§
For general purpose
§
RoHS compliant
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Repetitive Peak Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Average Rectified Output Current
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Package: SOD-123
BAV19W
120
100
71
BAV20W
200
150
106
400
200
BAV21W
250
200
141
Unit
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C/W
°C
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
FM
I
O
I
FSM
2.5 @ t=1.0ms
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
0.5 @ t=1.0s
Power Dissipation
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
P
D
R
θJA
T
J
,T
STG
400
500
-65 to +150
Electrical
Characteristics
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Reverse Breakdown Voltage
V
(BR)R
BAV19W
I
R
=100μA
I
F
=100mA
I
F
=200mA
T
J
=25°C
T
J
=100°C
V
R
=V
RWM
V
R
=V
RWM
Rating
Max
-
-
-
1.0
1.25
100
15
50
5.0
120
200
250
-
-
-
-
-
-
Unit
BAV20W
BAV21W
V
V
V
nA
μA
ns
pF
Forward Voltage
Peak Reverse Current
@ Rated DC Blocking Voltage
Reverse Recovery Time
Total Capacitance
V
FM
I
RM
t
rr
C
T
I
F
=I
R
=30mA,
I
rr
=0.1хI
R
, R
l
=100Ω
V
R
=0 ,f=1.0MHz
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