IC OP-AMP, 25 uV OFFSET-MAX, 0.6 MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, CERDIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 最大输入失调电压 | 25 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 600 kHz |
| 最小电压增益 | 2000000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| OP77AZ/883C | OP77BRC/883C | OP77AJ/883C | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 25 uV OFFSET-MAX, 0.6 MHz BAND WIDTH, CDIP8, HERMETIC SEALED, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 120 uV OFFSET-MAX, 0.6 MHz BAND WIDTH, CQCC20, LCC-20, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 25 uV OFFSET-MAX, 0.6 MHz BAND WIDTH, MBCY8, TO-99, 8 PIN, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | QLCC | TO-99 |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED, CERDIP-8 | LCC-20 | TO-99, 8 PIN |
| 针数 | 8 | 20 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | not_compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA | 0.006 µA | 0.002 µA |
| 最大输入失调电压 | 25 µV | 120 µV | 25 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | S-CQCC-N20 | O-MBCY-W8 |
| 负供电电压上限 | -22 V | -22 V | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 20 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | METAL |
| 封装代码 | DIP | QCCN | TO-99 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | SQUARE | ROUND |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 220 | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小摆率 | 0.1 V/us | 0.1 V/us | 0.1 V/us |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us | 0.3 V/us | 0.3 V/us |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | WIRE |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 600 kHz | 600 kHz | 600 kHz |
| 最小电压增益 | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.54 mm | - |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | - |
| 宽度 | 7.62 mm | 8.89 mm | - |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn85Pb15) | TIN LEAD |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
