Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD2137AQ

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2SD2137AQ: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SD2137AQ概述

Transistor

2SD2137AQ规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 220

2SD2137A

TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

High DC Current Gain

Low Collector to Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

Allowing Automatic Insertion with Radial Taping

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

CEO

EBO

FE(1)

FE(2)

CE(sat)

Test

conditions

Min

100

1.2

1.8

MHz

320

Typ

Max

Unit

μA

=100µA,I

=30mA,I

=100µA,I

=80V,I

=60V,I

=6V,I

=4V, I

=1A

=4V, I

=3A

=3A,I

=0.375A

=4V, I

=3A

=5V,I

=0.2A, f=10MHz

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

RANK

RANGE

70-150

120-250

160-320

A,Dec,2010

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探索发展中国半导体产业的新模式

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TFT高性能光刻胶国产化势在必行

TFT-LCD产业是当今产业界几个高成长产业之一。近10年来，日本、韩国及我国台湾等国家和地区，已经为它投资了上千亿美元，形成地域相当集中、规模相当巨大的产业集群。　　我国光刻胶用量逐年增加　　中国液晶产业始于1980年，起步并不晚。但是我们长期限于TN、STN-LCD。在2003年后才真正开始大规模建设TFT-LCD生产线，目前已经量产的厂家主要是京东方、上广电、龙腾和深超...[详细]
6月北美半导体设备订单出货比获得改善

SEMI日前公布了2009年6月份北美半导体设备制造商订单出货比报告。按三个月移动平均额统计，6月份北美半导体设备制造商订单额为3.234亿美元，订单出货比为0.77。订单出货比为0.77意味着该月每出货价值100美元的产品可获得价值77美元的订单。报告显示，6月份3.234亿美元的订单额较5月份2.878亿美元最终额增长12％，较2008年6月份的9.342亿美元最终额减少69...[详细]
最新低成本高效率0.18微米OTP制程

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谁走在半导体工艺制程的前列

在摩尔定律推动下，工艺技术的缩微没有停止，基本上每两年一个台阶，今年可达32纳米(注释，通常指微处理器的量产还要推迟几个季度)。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。据IMFlash报道，已于2008年11月时实现34纳米的32GNAND闪存量产。今年7月21日报道80G的MLCSSD(固态硬盘)价格已由595美元下降到225美元，及160GMLCSSD的价格由94...[详细]
联电反攻决战65纳米：技术与价格双向抢滩

联电高层交由新生代接棒刚满一年，新联电追赶台积企图浮现，四年前在0.13微米制程跌倒，今日则以90纳米扳回一成的联电，由研发底子深厚的执行长孙世伟领军，在65纳米靠技术与价格双向抢滩，这场绝地反攻之役，外资与90多万股民都在看。铁人执行长改革急先锋“我们65纳米营收在第二季大幅成长120%，第三季预计占营收比重15%，年底目标20%。”7月底酷热难受的盛夏，接下联电执...[详细]
巴斯夫与IMEC为半导体行业开发工艺化学品

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奇梦达拟出售12英寸65纳米生产线

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增你强股份有限公司今7日公布2009年4月份自结营收报告。4月合并营收为新台币17.4亿元，较上个月的18.6亿减少6%；较去年同期的19亿下滑8%。累计今年前4月合并营收为新台币61亿元。增你强表示，因去年底景气低迷，供货商缩减产能，但第一季受惠中国家电下乡政策与急单效应，营运动能转强，导致IC、分布式组件与记忆卡等产品供应吃紧，处于缺货状态，影响4月份营收成长。不过，订单与出...[详细]
本地IC设计公司探索高附加值发展之路

在经济不景气的大环境下，本地IC设计公司应该如何谋求生存，甚而进一步获得发展？作为一家以研发生产电脑周边器件为主的本土厂商，北京希格玛和芯微电子近年来迅速崛起，并且将战略性眼光投向新兴触摸技术领域。日前该公司总经理金雷先生接受了记者的采访，分享其快速发展壮大的成功经验，并希望能够对其他企业有所借鉴。重视高附加值与规模效应北京希格玛和芯微电子技术有限公司从渠道开始做起，2000年后开始做I...[详细]

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