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2PB709ARW,115: 产品描述PNP general purpose transistors; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小100KB，共6页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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2PB709ARW,115概述

PNP general purpose transistors

	2PB709ARW,115	2PB709ASW,115
描述	PNP general purpose transistors	PNP general purpose transistors
Brand Name	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SC-70	SC-70
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3
制造商包装代码	SOT323	SOT323
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	210	290
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz	80 MHz
Base Number Matches	1	1

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ