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2SC4959

产品描述S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小603KB,共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC4959概述

S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2SC4959规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量0.7 pF
集电极-发射极最大电压6 V
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)12000 MHz
Base Number Matches1

2SC4959相似产品对比

2SC4959
描述 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.03 A
基于收集器的最大容量 0.7 pF
集电极-发射极最大电压 6 V
配置 SINGLE
最高频带 S BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 12000 MHz
Base Number Matches 1
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