Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BZM5240C_R1_10001

文档预览

BZM5240C_R1_10001: 产品描述Zener Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小108KB，共7页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档详细参数全文预览

BZM5240C_R1_10001概述

Zener Diode

BZM5240C_R1_10001规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	O-LELF-R2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
最大动态阻抗	17 Ω
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-LELF-R2
膝阻抗最大值	600 Ω
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
标称参考电压	10 V
最大反向电流	3 µA
反向测试电压	8 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	WRAP AROUND
端子位置	END
最大电压容差	10%
工作测试电流	20 mA

BZM5240C_R1_10001文档预览

下载PDF文档

全文
预览

BZM5221B SERIES

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.4 to 68 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives

0.040(1.0)

0.008(0.2)

0.079(2.0)

0.071(1.8)

0.043(1.1)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass MICRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

0.008(0.2)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at T

= 25

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

175

-65 to +175

Units

TOT

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Forward Voltage at I

= 200mA

Symbol

JA

Min.

Typ.

Max.

0.3

Units

C/mW

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

May 7,2013-REV.03

0.048(1.2)DIA.

PAGE . 1

推荐资源

力转成数字显示PCB板怎么做: 我公司现在要设计一款产品，他是由测试力的大小转换成数字显示的，再由电阻或电容感应按键控制整个电路，得到数据后，可以用TF卡或SD卡储存，要实现这些功能，不知道要用到什么模块，什么电路， ......; chj000 PCB设计

关于高压输电，问个不太明确的问题: 每次坐车走高速都能看到高速路两旁的高压输电的铁塔，铁塔上的输电线并不是一样粗，在铁塔最顶端的那条线，明显比其他的线要细一些，不知道这条线是做什么的？经过仔细观察，这条线似乎并 ......; 小瑞工业自动化与控制

coprocessor, help!: 正在看coprocessor的东西，有两条指令MCR和MRC需要用到coprocessor的操作码(opcode)，我在datasheet里找了好久都找不到opcode的定义。谁能提供给我参考文献呀？谢谢。...; roMoon ARM技术

ZigBee在电力系统温度测量中的应用: 摘要: ZigBee 网络为传感器信号的无线传输提供了新的解决方案,论文分析了ZigBee 技术,IEEE802.15.4 标准及相关应用,将ZigBee 与蜂窝网络结构结合,用于电力系统高压母线温度测量系统中,得到了良 ......; 吸铁石上无线连接

（已解决）G2系列用32K晶体做电子钟，遇到一些问题。: G2系列单片机软件怎么设置选择外部32K晶体？ 3L有答案，和我有同样问题的看看。以下内容是我从头文件里看到的。 #define DIVA0 (0x10) /* ACLK Divider 0 */ #define DI ......; huang91 微控制器 MCU

史密斯图方程的推导: 575300 575301 575302 575303 ...; btty038 无线连接

恢复对华出口背后，英媒曝英伟达、AMD与美政府达成“史无前例”协议

北京时间8月11日，据《金融时报》报道，为了获得芯片出口许可证，英伟达、AMD与特朗普政府达成了一项不同寻常的安排，其中包括将其中国芯片销售收入的15%上缴美国政府。据一名美国官员等知情人士透露的消息，这两家芯片制造商同意了这一财务安排，以便获得中国市场出口许可证。这些许可证在上周获批。这名美国官员表示，英伟达、AMD分别同意将其在中国销售H20、MI308芯片收入的15%上缴美国政府。两名...[详细]
闪迪就 HBF 高带宽闪存结盟 SK 海力士，首款 AI 推理终端设备 2027 年初出样

8月7日消息，Sandisk闪迪在今年早些时候提出了HBF高带宽闪存概念。这是一种类似HBM内存但基于NAND的新型存储，专为AI推理工作负载而设计，能在相似成本下提供8~16倍于HBM解决方案的存储容量。而在美国加州当地时间6日，闪迪宣布与SK海力士签署一项谅解备忘录(MOU)，SK海力士也将参与HBF规范的制定。SK海力士的加入对闪迪...[详细]
英飞凌2025财年第三季营收符合预期，利润超出预期

尽管面临持续的关税不确定性和美元走弱，本季度预计将进一步增长2025财年第三季度：营收为37.04亿欧元，利润为6.68亿欧元，利润率18.0%2025财年第四季度展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.15（此前为1:1.125），预计营收将达到39亿欧元。在此基础上，利润率预计为17%~19%左右2025财年展望：假设第四季度欧元兑美元汇率为1:1.15（此前为1...[详细]
贸泽授权代理Renesas Electronics新技术产品为设计工程师和采购员提供丰富多样的选择

2025年11月5日–全球半导体和电子产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)即日起备货嵌入式应用安全解决方案知名供应商RenesasElectronics的全新产品。贸泽供应超过28,000种Renesas元器件，其中将近10,000种有库存且可立即发货，为客户提供Renesas广泛的全新解决方案组合，并且持续增加新品。RenesasRA8P1微控制...[详细]
消息称高通、联发科加速布局台积电N2P工艺，欲弯道超车苹果

据《工商时报》昨天（11月3日）报道，继苹果预定成为首批台积电N2工艺客户后，高通与联发科加快脚步，同步应用加强版N2P工艺，有望带动台积电A16制程提前量产。供应链消息指出，台积电的A16制程最快将于明年3月展开试产，表明台积电进入“摩尔定律2.0”阶段，其中苹果将A20系列芯片中引入WMCM（IT之家注：多栅极晶体管）先进封装技术，明年第二季度开启小规模量产；而...[详细]
德州仪器：半导体市场复苏放缓，客户库存仍处于低位

10月22日消息，德州仪器总裁兼首席执行官HavivIlan在公司2025年第三季度财报公布后的电话会议上表示，整体半导体市场虽然仍处于复苏轨道，但复苏的速度有所放缓。HavivIlan认为这可能与更广泛的宏观经济动态和整体不确定性有关，尤其是工业客户对产能扩增处于观望模式。此外客户的库存水位仍处于较低位置，去库存阶段似乎已经结束。德州仪器在2025Q3实现了47....[详细]
Arm 出席 OPPO 开发者大会，解读端侧 AI 技术与应用新趋势

10月15日，OPPOColorOS16发布会暨OPPO开发者大会在深圳隆重召开，大会现场除发布OPPO最新技术外，还举办了多场论坛，与业界领袖共同探讨科技创新与人工智能(AI)新生态构建。在大会上，Arm受邀发表了主题演讲，分享端侧AI的演进趋势及Arm最新的LumexAI计算平台如何助力技术突破、应用创新及生态合作。端侧AI实...[详细]
台积电中科 1.4 nm 晶圆厂瞄准 2028 年量产，剑指全球 AI 芯片制造中心

12月31日消息，台积电2nm制程已按计划于本季度投产。中国台湾《经济日报》今日指出，由于（2nm）良率表现优于预期，位于台中科学园区（中科）的1.4nm新厂建设进程将进一步加快。据介绍，中科新厂已于今年11月初启动基桩工程，预计在2027年底前完成风险性试产，并于2028年正式投入量产。目前，其设备大楼的招标作业已经完成，预计主体厂房工程的招标工作也将在近期陆续展开...[详细]
台积电罗镇球：AI 驱动行业爆发，技术布局与全球协同迎接未来

日前，在ICCAD-Expo2025上，台积电中国区总经理罗镇球结合台积电的业务，对近期半导体发展趋势进行了总结。其表示，AI正毫无疑问的重塑全球产业逻辑，智能无处不在的愿景已逐步落地。从家庭AIoT设备、AR/VR眼镜等消费终端，到智能驾驶、人形机器人等新兴领域，算力需求的爆发推动半导体行业进入“AI+”重构时代。数据中心算力的大幅增长，带AI功能的PC、智能手机，AR/...[详细]
意法半导体和SpaceX共庆星链全球互联关键技术合作十年历程

定制芯片十年创新历程催生了一个通过低轨卫星为家庭和企业提供宽带互联网的新兴产业星链产品是SpaceX与意法半导体法国和意大利公司合作设计，在法国、马耳他和马来西亚的工厂生产星链高性能相控阵天线采用意法半导体的BiCMOS芯片技术，为150多个国家地区的800多万用户提供高速互联网接入服务双方深入合作，聚焦加快推进现有设计项目和下一代卫星及用户终端的开发进度2025...[详细]
微软宣布未来四年将在印度投资 175 亿美元，布局 AI 与云计算业务

12月10日消息，微软计划未来四年在印度投资175亿美元（现汇率约合1238.64亿元人民币），扩大其在该南亚国家的人工智能（AI）与云计算业务布局。印度庞大的互联网用户和智能手机用户群体，正使其成为全球科技公司竞相争夺的关键市场。这项于当地时间周二宣布的投资是微软在亚洲有史以来规模最大的一笔投资，将用于2026至2029年间新建数据中心、部署AI基础设施，并开展数字...[详细]
贸泽电子授权代理知名制造商TE Connectivity逾75万种元器件

2025年12月4日–专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(MouserElectronics)供应全球知名连接器和传感器制造商TEConnectivity的新品和解决方案。贸泽供应来自TEConnectivity(TE)的全系列产品，共有超过75万个TE料号开放订购，并可迅速发货。其中一款新品为TEGEMnetMulti-Gig差分连...[详细]
消息称英特尔14A制程已获两家客户好评，预计2027年量产节点进展顺利

12月3日消息，MoorInsights&Strategy分析师PatrickMoorhead昨日透露，英特尔正在开发的14A制程节点已获得两家潜在代工客户的正面反馈。作为IntelFoundry的关键产品，14A节点目前正与客户协同设计，使客户能够提前评估相关技术能否满足未来产品的性能和能效需求。PatrickMoorhead称，他与多位接触过该节点的英...[详细]
安谋科技发布“AI Arm CHINA”战略，“周易”NPU引领端侧大模型落地

2025年11月20日，ICCAD-Expo2025在成都盛大开幕。安谋科技CEO陈锋受邀出席高峰论坛，正式对外发布“AIArmCHINA”战略发展方向，陈锋明确提出了“全力投入AI，连接Arm全球生态，深耕中国本土创新”的核心定位。安谋科技产品总监鲍敏祺则在媒体采访中，详细解读了作为战略核心载体的“周易”NPUIP的技术优势与落地路径，以“周易”为代表的高性能NPUIP，标志着...[详细]
智能设备广泛兴起，SmartDV将以定制化与功能安全IP及生态合作推动相关芯片设计

中国北京，2025年11月——向全球市场提供灵活、高度可配置、可定制的半导体设计知识产权（IP）和验证IP（VIP）的领先开发商SmartDVTechnologies™宣布，将出席于2025年11月20日-21日在成都•中国西部国际博览城隆重举办的“成渝集成电路2025年度产业发展论坛暨第三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo2025）”。本届大会正值人工智能（AI）和边缘AI...[详细]

小广播

热搜元器件