IGBT Module
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SEMIKRON |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-P19 |
针数 | 19 |
制造商包装代码 | CASE T 52 |
Reach Compliance Code | compliant |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 27 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | COMPLEX |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-PUFM-P19 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 19 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 2.05 V |
Base Number Matches | 1 |
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