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SB640F_T0_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小229KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB640F_T0_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ITO-220AC, 2 PIN

SB640F_T0_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ITO-220AC, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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SB620F~SB660F
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling, and polarlity protection applications.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
20 to 60 Volt
CURRENT
6 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AC full molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Weight: 0.055 ounces, 1.56 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RAM ET ER
M a ximum Rec ur r e nt Pe a k Re ve r s e Vo lt a g e
M a ximum RM S Volt a g e
M a ximum DC Bloc k ing Vo lt a ge
M a ximum Ave r a ge F or w a r d Cur r e nt a t Tc = 7 5
O
C
Pe a k Fo r w ar d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le half s ine - w a ve
s upe r imp o s ed o n r a t e d lo a d
M a ximum Fo r w ar d Vo lt a ge a t 6 A
M a ximum DC Reve r s e Cur r e nt a t Ra t ed DC B lo c k ing
Vo lt a g e
Ty p ic a l T he r ma l Re s is t a nce
O p e r at ing J unc t io n Temp er a t ur e Ra nge
St o r ag e Te mp e r at ur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
SY M B O L SB6 2 0 F S B6 30 F SB6 4 0F SB 65 0 F S B6 60 F
V
RR M
V
RM S
V
DC
I
F( AV )
I
FS M
V
F
I
R
R
θJ
C
T
J
T
ST G
- 5 5 t o + 1 25
0. 5 5
0.2
15
3
- 5 5 t o + 1 50
- 5 5 t o + 15 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
6
75
0.7
0.1
15
50
35
50
60
42
60
UNI TS
V
V
V
A
A
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
NOTES : Both Bonding and Chip structure are available.
October 11,2016-REV.05
PAGE . 1
通宵画pcb.
本帖最后由 ienglgge 于 2014-4-8 21:43 编辑 昨天,通宵画这个电路图。今天又画半天,才画完,还不算之前花的时间,真的是太慢了。用的是pads-9.3. 现将电路图献上。期待各位的指教。:lovel ......
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