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ES1GBF3

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小443KB,共5页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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ES1GBF3概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

ES1GBF3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

ES1GBF3文档预览

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ES1AB THRU ES1KB
Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● High forward surge capability
● Super Fast reverse recovery time
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in high frequency rectification of power
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer and telecommunication.
Mechanical Data
Package:
DO-214AA (SMB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, resistance load,
TL (Fig.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
V
SYMBOL
UNIT
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB
50
100
150
200
300
400
500
600
800
IO
A
1.0
IFSM
Tstg
Tj
A
30
-55~+150
-55~+150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum reverse recovery time
SYMBOL UNIT
TEST
ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB
CONDITIONS
IFM=1.0A
I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
Ta =25℃
IRRM
μA
Ta =125℃
100
0.95
1.3
1.7
1.85
VF
V
t
rr
ns
35
5.0
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per
diode @ VRM=VRRM
1/5
S-S784
Rev. 2.2,06-Jun-16
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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