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GBJ2510B1

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小397KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GBJ2510B1概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 1000V V(RRM), Silicon,

GBJ2510B1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明R-PSFM-T4
Reach Compliance Codeunknown
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流320 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

GBJ2510B1文档预览

下载PDF文档
GBJ25005 THRU GBJ2510
Bridge Rectifiers
Features
● UL recognition, file #E230084
● Thin single in-line package
● High surge current capability
● Solder dip 275 ° max. 7 s, per JESD 22-B106
C
RoHS
COMPLIANT
Typical Applications
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification
for switching power supply, home appliances, office
equipment, industrial automation applications.
Mechanical Data
Package:
6KBJ
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
As marked on body
+
~
~
-
SYMBOL
UNIT
GBJ25005 GBJ2501 GBJ2502 GBJ2504 GBJ2506 GBJ2508 GBJ2510
GBJ25005
VRRM
V
50
GBJ2501
100
GBJ2502
200
GBJ2504
400
25.0
IO
A
3.5
IFSM
It
Tstg
Tj
Vdis
Tor
2
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
With heatsink
Tc =87℃
Without heatsink
Ta =25℃
GBJ2506
600
GBJ2508
800
GBJ2510
1000
Average rectified output current
@60Hz sine wave, R-load,
Surge(non-repetitive)forward current
@60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃
Current squared time
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode
Storage temperature
Junction temperature
Dielectric strength
@ terminals to case, AC 1 minute
Mounting torque
@recommend torque:5kg·
cm
A
A
2
s
KV
kg·
cm
320
424
-55 ~+150
-55 ~+150
2.5
8
■Electrical
Characteristics
(T
a=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward
voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
SYMBOL UNIT
VF
IRRM
V
μA
TEST
CONDITIONS
IFM=12.5A
VRM=VRRM
GBJ25005 GBJ2501 GBJ2502 GBJ2504 GBJ2506 GBJ2508 GBJ2510
1.00
5
1/4
S-B379
Rev. 2.3,27-Nov-18
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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